[实用新型]一种柔性IGZO薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201821543910.4 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN209045571U 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 曾志远;钟祥桂;罗敬凯;张沈钧 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/49
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 林志峥
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 绝缘层 金属层 薄膜晶体管 铂层 本实用新型 第二金属层 第一金属层 晶体管技术 半导体层 结构器件 液晶屏幕 依次层叠 栅极区域 玻璃层 单栅极 可靠度 晶体管 顶栅 金层 钛层 替代
【说明书】:

实用新型涉及晶体管技术领域,尤其涉及一种柔性IGZO薄膜晶体管,包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层;通过在面板内的栅极区域增加第三金属层作为TFT器件的顶栅,替代现有技术中单栅极TFT结构器件,将第三金属层按第一铂层、钛层、第二铂层和金层依次层叠而成;这样能够有效提高膜晶体管的可靠度,使得液晶屏幕的显示更为精确且稳定。

技术领域

本实用新型涉及晶体管技术领域,尤其涉及一种柔性IGZO薄膜晶体管。

背景技术

随着显示科技的进步,薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)由于具有轻、薄、低辐射以及体积小而不占空间的优势,目前已成为显示器市场的主力产品,为应液晶显示产品的快速发展,液晶面板厂商的产业竞争日增。如何提升薄膜晶体管的效能、可靠性与降低制作成本,皆为重要的发展目标。

双栅极结构TFT器件相较于传统单栅极结构TFT器件表现出更好的电学稳定性和更强的栅控能力,然而,目前的双栅极结构TFT器件结构较为复杂,以及制备方法需要增加制程工艺复杂度,因而会大大降低产品品质,不利于广泛应用。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的缺陷,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种柔性IGZO薄膜晶体,在不增加制程成本的情况下有效提高薄膜晶体管的可靠度,使得液晶屏幕的显示更为精确且稳定。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:

一种柔性IGZO薄膜晶体管,包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层;

所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面,所述第二绝缘层上设有两个的第一过孔,所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触,所述第三绝缘层一侧面分别与第二金属层远离玻璃层的一侧面以及第二绝缘层远离玻璃层的一侧面接触,所述第三金属层与所述第三绝缘层另一侧面接触;

所述第三金属层为层状结构且由第一铂层、钛层、第二铂层和金层依次层叠而成,所述第一铂层与所述第三绝缘层另一侧面接触。

进一步的,所述第一铂层、钛层和第二铂层的厚度均为0.02-0.04μm,所述金层的厚度为0.5-0.8μm。

进一步的,所述第一铂层的厚度为0.03μm,所述钛层的厚度为0.036μm,所述第二铂层的厚度为0.03μm,所述金层的厚度为0.765μm。

进一步的,所述第一铂层、钛层、第二铂层和金层的厚度比为1:1.2:1:25.5。

进一步的,所述半导体层的氧化物介质为IGZO。

进一步的,在柔性IGZO薄膜晶体管的竖直方向上,所述第一过孔对应半导体层位置设置。

本实用新型的有益效果在于:通过在面板内的栅极区域增加第三金属层作为TFT器件的顶栅,替代现有技术中单栅极TFT结构器件,将第三金属层按第一铂层、钛层、第二铂层和金层依次层叠而成;这样能够有效提高薄膜晶体管的可靠度,使得液晶屏幕的显示更为精确且稳定。

附图说明

图1所示为根据本实用新型的一种柔性IGZO薄膜晶体管的结构示意图;

图2所示为根据本实用新型的一种柔性IGZO薄膜晶体管的图1中A区局部放大示意图;

标号说明:

1、玻璃层;2、第一金属层;3、第一绝缘层;4、半导体层;5、第二绝缘层;6、第二金属层;7、第三绝缘层;8、第三金属层;9、第一铂层;10、钛层;11、第二铂层;12、金层。

具体实施方式

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