[实用新型]离子植入设备

说明书

该实用新型涉及一种离子植入设备，包括腔体和石墨件，其中，所述腔体的腔体壁上设置有轨道，所述轨道的一端连通到所述腔体的出口处；所述石墨件安装至所述轨道，并能够沿所述轨道滑动。本实用新型中的离子植入设备的腔体壁上设置有连通到所述离子植入设备的腔体出口的轨道，且所述离子植入设备的石墨件安装到所述轨道，能够沿所述轨道运动至腔体出口处，因此，即使石墨件发生形变，也可将所述石墨件从所述腔体轻易拉出，以完成对离子植入设备的预防保养，提高离子植入设备预防保养的效率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种离子植入设备。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，离子注入(implantation)是半导体进行掺杂形成器件掺杂区域的重要方法，如形成场效应器件中的阱区、沟道区、源漏区等等。离子注入是将待掺杂原子或分子电离，加速到一定能量后注入到晶片特定区域中，再经退火激活达到掺杂目的。

典型的离子注入系统包括用于由可电离源材料产生正电荷离子的离子源、质量分析器、扫描系统、平行器和剂量测量系统。所述离子源产生的离子形成离子束并沿着预定的路径投向注入位置进行离子注入，在离子注入的过程中，所需的离子要求具有固定的电荷-质量比，而所述离子源产生的离子中不仅包含电荷-质量比符合要求的离子，可能还会包括电荷-质量比大于所需电荷-质量比的离子，电荷-质量比小于所需电荷质量比的离子和不需要的中性的离子。这些不符合要求和不需要的离子的存在，会对离子注入的效果产生影响，因此，在所述离子束到达注入位置之前必须将这些不需要的离子去除掉。

现有技术中主要采用质量分析器分离不同电荷-质量比的离子，以确保到达半导体晶片或其他目标的所需要区域的离子束的纯度。一种常见的质量分析器内腔为弓形，具体的原理为：所述质量分析器通常设置有质量分析磁体，该质量分析磁体会产生偶极磁场，而相对于离子电荷的离子质量(如电荷-质量比)影响离子被静电场或磁场在轴向和横向上的加速的角度，所述质量分析器会有选择地分离需要和不需要的电荷-质量比的离子，不需要的分子重量的离子会在偶极磁场的作用下偏移到远离所述离子束的位置。

所述离子束进入所述质量分析器以后，不同电荷-质量比的离子在偶极磁场的作用下发生不同角度的偏转，又由于所述质量分析器的形状为弓形，不符合要求的电荷-质量比的离子就会打到所述质量分析器的内壁上而被阻挡，只有符合要求的电荷-质量比的离子可以通过出口而进入下游位置。

这些从所述离子束中偏移出来的离子都具有比较高的能量，会以较高的速度打在所述质量分析器的内壁上，对所述质量分析器形成巨大的冲击力。当使用磁性石墨件实现对不同电荷质量比的离子进行分离时，大量离子的打击会使得石墨件变形，在对离子植入设备进行预防养护时，由于石墨件的形变，需要较长时间才能够将待进行预防养护的石墨件从离子植入设备腔体中取出，严重影响了离子植入设备的预防保养效率，并最终影响离子植入产线的生产率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种离子植入设备，能够提高离子植入设备的预防保养效率，提高离子植入产线的产率。

为了解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种离子植入设备，包括腔体和石墨件，其中，所述腔体的腔体壁上设置有轨道，所述轨道的一端连通到所述腔体的出口处；所述石墨件安装至所述轨道，并能够沿所述轨道滑动。

可选的，所述腔体的至少一面腔体壁上设置有所述轨道。

可选的，所述轨道内部涂布有油膜。

可选的，所述石墨件上设置有拉手，用于拉动所述石墨件沿所述轨道滑动。

可选的，所述拉手设置于所述石墨件的侧壁末端。

可选的，所述石墨件安装有拉手的一端安装至所述轨道。

可选的，所述石墨件的侧壁上设置至少一排滚轮，所述滚轮安装至所述轨道。