[实用新型]半导体加工装置

权利要求书

1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：

腔体(10)，包括

内腔(16)，所述内腔具有侧壁(11)和顶壁(13)；

第一流道(111)，位于所述侧壁(11)外，所述第一流道(111)还具有出气孔(115)；

多个排气孔(114)，位于所述侧壁(11)上，用于连通所述内腔(16)与所述第一流道(111)；以及

进气口(131)，位于所述顶壁(13)的中部，连通所述内腔(16)；

载物平台(14)，设置在所述腔体(10)内；

其中，多个所述排气孔(114)沿着所述第一流道(111)排列，随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长，所述排气孔(114)的孔径具有增长的趋势。

2.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述内腔(16)为筒形，所述第一流道(111)为环形，且所述环形垂直于侧壁(11)的延伸方向。

3.如权利要求2所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一流道(111)包括为依次靠近所述出气孔(115)的第一区域(116)、第二区域(117)和第三区域(118)，所述侧壁(11)对应所述第一区域(116)、所述第二区域(117)和所述第三区域(118)的部分分别为第一侧壁部分、第二侧壁部分和第三侧壁部分，所述第一侧壁部分、所述第二侧壁部分和所述第三侧壁部分上的排气孔(114)的孔径依次减小。

4.如权利要求3所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为21～30mm，所述第二侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为16～20mm，所述第三侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为10～15mm。

5.如权利要求3或4所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的相邻两个排气孔(114)的间距、所述第二侧壁部分上的相邻两个排气孔(114)的间距和所述第三侧壁部分上的相邻两个排气孔(114)的间距依次增大。

6.如权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的相邻排气孔(114)的间距的取值范围为5～20mm，所述第二侧壁部分上的相邻排气孔(114)的间距的取值范围为21～25mm，所述第三侧壁部分上的相邻排气孔(114)的间距的取值范围为26～50mm。

7.如权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的排气孔(114)数占总排气孔(114)数的10～30％，所述第二侧壁部分上的排气孔(114)数占总排气孔(114)数的40～80％，所述第三侧壁部分上的排气孔(114)数占总排气孔(114)数的10～30％。

8.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长，所述排气孔(114)的孔径逐渐增长。

9.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长，相邻两个排气孔(114)的间距逐渐增长。

10.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述侧壁(11)还包括

环形开口(112)；

抽气环(113)，覆盖在所述环形开口(112)上，

其中，多个所述排气孔(114)设置在所述抽气环(113)上并沿所述抽气环(113)依次排布。

11.如权利要求10所述的半导体加工装置，其特征在于，所述抽气环(113)与所述环形开口(112)均为圆环形，且所述圆环形均垂直于所述侧壁的延伸方向。

12.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述进气口(131)朝向所述载物平台(14)并用于向所述内腔输入加工气体，所述出气孔(115)用于将加工气体排出所述内腔(16)。