[实用新型]半导体加工装置

说明书

本实用新型公开一种半导体加工装置，其包括：腔体，包括内腔，所述内腔具有侧壁和顶壁；第一流道，位于所述侧壁外，所述第一流道还具有出气孔；多个排气孔，位于所述侧壁上，用于连通所述内腔与所述第一流道；以及进气口，位于所述顶壁的中部，连通所述内腔；载物平台，设置在所述腔体内；其中，多个所述排气孔沿着所述第一流道排列，随着所述排气孔到所述出气孔的距离的增长，所述排气孔的孔径具有增长的趋势。采用这种半导体加工装置来制作薄膜，则硅片上薄膜的局部应力的方向均趋于背离硅片的圆心。

技术领域

本实用新型总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种半导体加工装置。

背景技术

在现今的半导体工业中，硬掩模主要运用于多重光刻工艺中，首先把多重光刻胶图像转移到硬掩模上，然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上。

为应对集成电路临界尺寸越来越窄的需求，需要制造更高分辨率的图形，光刻胶厚度必须相应的降低以增加图样转移的精确度。因此,我们需要一个有高选择比的材料当硬掩模来减少光刻胶的厚度，尤其是应用在70纳米以下先进工艺中的高深宽比下的图样转移。

现有技术中氮化硅，氮碳化硅,非晶硅,碳薄膜等薄膜皆可作为硬掩模。但对于底材氧化硅薄膜或是掺杂硼、磷或氟的氧化硅薄膜而言，碳薄膜的制造成本低，因此碳薄膜常用于高深宽比的光刻胶图样转移层或是硬掩模层。

但在线宽越窄的高密度图形转移工艺中，光刻胶的曝光条件越趋严苛。对于前程工艺碳薄膜与光刻胶间的匹配程度，也会成为光刻胶曝光成功与否的重要关键。

随着集成电路临界尺寸越来越窄的要求，为了制造更高分辨率的图形，对硬掩模的要求也会越来越高；碳薄膜作为一种硬掩模，被用来作为图像转移的牺牲层，其薄膜的局部应力均匀性对图像的转移有着很大的影响。但是目前沉积得到的碳薄膜的膜厚的局部应力均匀性得不到很好的控制，尤其是局部应力方向分布不规则。如图1所示，先将硅片上的碳薄膜均匀划分成16个区；如图2所示，现有技术制作出来的碳薄膜上的16个区域内的局部应力的方向总体上分布不规则。

不同碳薄膜反应腔沉积出来的碳薄膜，会因前程工艺造成各硅片在乘载盒里放置的旋转角度不尽相同，且机台的本身传片机制也会造成硅片一定程度的旋转，造成每片硅片在沉积碳薄膜后的局部应力分布不尽相同。而现有的光刻机只能根据一种局部应力方向分布图进行曝光调整，如果每片的局部应力方向分布不规则，则会影响曝光结果甚至曝光是失败。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本实用新型所要解决的一个技术问题为如何使得硅片上生成的薄膜的局部应力的方向均背离圆心。

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体加工装置，其包括：

腔体，包括

内腔，所述内腔具有侧壁和顶壁；

第一流道，位于所述侧壁外，所述第一流道还具有出气孔；

多个排气孔，位于所述侧壁上，用于连通所述内腔与所述第一流道；

以及

进气口，位于所述顶壁的中部，连通所述内腔；

载物平台，设置在所述腔体内；