[实用新型]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201821579585.7 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN208904022U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 唐岳军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示器 像素 像素限定层 平坦层 有机发光二极管元件 薄膜晶体管元件 无机绝缘层 封装层 基板 阴极 本实用新型 无机材料 子像素 漏极 源极 隔离 包围 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,包括:
一基板;
一薄膜晶体管元件,设置在所述基板上,其中所述薄膜晶体管元件的栅极与源极和漏极被无机绝缘层隔离;
一平坦层,设置在所述薄膜晶体管元件与所述无机绝缘层上;
一像素限定层,设置在所述平坦层上,所述像素限定层定义多个像素,每个像素具有多个子像素;
一有机发光二极管元件,设置在所述平坦层与所述像素限定层上;及
一封装层,设置在所述有机发光二极管元件上;
其中所述无机绝缘层、所述平坦层、所述像素限定层与所述封装层中的一或多种无机材料及所述有机发光二极管元件的阴极包围所述有机发光二极管显示器的每个子像素、每个像素、或多个像素。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述无机材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器更具有以下结构的其中一种:
(1)所述像素限定层由无机材料形成,所述像素限定层具有第一插塞,所述第一插塞通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层;
(2)所述有机发光二极管显示器更包括第一连接结构,所述第一连接结构通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层,所述第一连接结构与所述有机发光二极管元件的阳极具有相同材质;
(3)所述像素限定层由有机材料形成;所述有机发光二极管显示器更包括第一连接结构,所述第一连接结构通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层,所述第一连接结构与所述有机发光二极管元件的阳极具有相同材质;所述有机发光二极管元件的阴极具有第二连接结构,所述第二连接结构通过所述像素限定层中过孔而连接至所述第一连接结构的上表面;
(4)所述像素限定层由有机材料形成;所述平坦层由一有机子层与一无机子层构成,所述平坦层的无机子层设置在所述平坦层的有机子层上;所述有机发光二极管元件的阴极具有第三连接结构,所述第三连接结构通过所述像素限定层中过孔而连接至所述平坦层的无机子层;及
(5)所述像素限定层由一有机子层与一无机子层构成,所述像素限定层的有机子层设置在所述像素限定层的无机子层上;所述像素限定层的无机子层不具有或具有第二插塞,所述第二插塞通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层;所述有机发光二极管元件的阳极设置在所述平坦层上;所述有机发光二极管元件的阴极具有第四连接结构,所述第四连接结构通过所述像素限定层中过孔而连接至所述像素限定层的无机子层。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机材料是丙烯酸有机化合物、聚酰胺、或聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,
所述无机绝缘层包括:
一缓冲层,设置在所述基板上;
一栅极绝缘层,设置在所述缓冲层上;及
一层间绝缘层,设置在所述栅极绝缘层上;及
所述封装层具有由多个无机子层与多个有机子层构成的堆叠结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的