[实用新型]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201821579585.7 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN208904022U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 唐岳军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示器 像素 像素限定层 平坦层 有机发光二极管元件 薄膜晶体管元件 无机绝缘层 封装层 基板 阴极 本实用新型 无机材料 子像素 漏极 源极 隔离 包围 | ||
本实用新型提出一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:一基板;一薄膜晶体管元件,设置在所述基板上,其中所述薄膜晶体管元件的栅极与源极和漏极被无机绝缘层隔离;一平坦层,设置在所述薄膜晶体管元件与所述无机绝缘层上;一像素限定层,设置在所述平坦层上,所述像素限定层定义多个像素,每个像素具有多个子像素;一有机发光二极管元件,设置在所述平坦层与所述像素限定层上;及一封装层,设置在所述有机发光二极管元件上;其中所述无机绝缘层、所述平坦层、所述像素限定层与所述封装层的无机子层中的一或多种无机材料及所述有机发光二极管元件的阴极包围所述有机发光二极管显示器的每个子像素、每个像素、或多个像素。
技术领域
本实用新型涉及显示器的技术领域,特别涉及一种有机发光二极管(organiclight emitting diode,OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示器具有宽视角、高对比度和快速响应的优点,因此OLED显示器的研究与发展广受到关注。
OLED显示器的结构主要包括OLED发光元件,OLED发光元件是由阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的中间层的有机发光材料所构成。在OLED显示器的制造过程中,需要对OLED发光元件进行一封装步骤,以阻挡水汽/氧气进入OLED发光元件内而损坏显示器寿命。
根据现有技术,封装方式大致上包括盖板封装和薄膜封装两种方式。然而,现有技术的薄膜封装方式仍无法达到良好的阻挡水汽/氧气侵入OLED发光元件的技术效果。
因此,有必要提供一种有机发光二极管显示器,以解决现有技术所存在的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种有机发光二极管显示器,以解决现有技术中阻挡水汽/氧气侵入OLED发光元件的效果不佳的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种有机发光二极管显示器,其特征在于,包括:
一基板;
一薄膜晶体管元件,设置在所述基板上,其中所述薄膜晶体管元件的栅极与源极和漏极被无机绝缘层隔离;
一平坦层,设置在所述薄膜晶体管元件与所述无机绝缘层上;
一像素限定层,设置在所述平坦层上,所述像素限定层定义多个像素,每个像素具有多个子像素;
一有机发光二极管元件,设置在所述平坦层与所述像素限定层上;及一封装层,设置在所述有机发光二极管元件上;
其中所述无机绝缘层、所述平坦层、所述像素限定层与所述封装层中的一或多种无机材料及所述有机发光二极管元件的阴极包围所述有机发光二极管显示器的每个子像素、每个像素、或多个像素。
根据本实用新型一优选实施例,所述无机材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或氧化铝。
根据本实用新型一优选实施例,
所述像素限定层由无机材料形成,所述像素限定层具有第一插塞,所述第一插塞通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层;
所述有机发光二极管显示器更包括第一连接结构,所述第一连接结构通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层,所述第一连接结构与所述有机发光二极管元件的阳极具有相同材质;
所述像素限定层由有机材料形成;所述有机发光二极管显示器更包括第一连接结构,所述第一连接结构通过所述平坦层中过孔而连接至所述无机绝缘层,所述第一连接结构与所述有机发光二极管元件的阳极具有相同材质;所述有机发光二极管元件的阴极具有第二连接结构,所述第二连接结构通过所述像素限定层中过孔而连接至所述第一连接结构的上表面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的