[实用新型]一种光伏组件旁路二极管的检测系统有效
申请号: | 201821601248.3 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN209344034U | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 杨小兵;黄志道;王湘成;谢建勇 | 申请(专利权)人: | 广东汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;盛博 |
地址: | 517000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光罩 传输装置 检测装置 旁路二极管 处理装置 光伏组件 红外相机 接触装置 检测系统 控制装置 遮光装置 电连接 恒流源 支架 中央处理器连接 中央处理器 传送方向 电气连接 通信连接 计算器 侧面 扫描器 正负极 处理器 配置 回归 检测 | ||
1.一种光伏组件的旁路二极管的检测系统,其特征在于,所述检测系统包括传输装置、支架、检测装置和控制装置;
所述检测装置设置于所述支架,配置为检测旁路二极管;
所述控制装置分别与所述传输装置和所述检测装置电连接;
所述检测装置包括遮光装置、红外相机、恒流源、接触装置和处理装置;
所述遮光装置包括遮光罩,所述遮光罩具有顶部和侧面,所述遮光罩的顶部位于所述传输装置上方,在所述传输装置的传送方向上,所述遮光罩的侧面的最底部高于所述传输装置;
所述红外相机设置在所述遮光罩内并设置在所述遮光罩的顶部;
所述接触装置与所述恒流源电气连接,所述接触装置配置为与所述光伏组件的正负极电连接;
所述处理装置与所述红外相机通信连接;
所述处理装置包括中央处理器、扫描器、回归处理器和强度相对值计算器,其中所述中央处理器分别与所述扫描器、所述回归处理器和所述强度相对值计算器连接。
2.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述处理装置还包括亮斑间距及坐标计算器,所述亮斑间距及坐标计算器与所述中央处理器连接。
3.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述处理装置还包括亮斑尺寸计算器,所述亮斑尺寸计算器与所述中央处理器连接。
4.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述处理装置还包括串与串强度相对比值计算器,所述串与串强度相对比值计算器与所述中央处理器连接。
5.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述处理装置还包括串并联数量计算器,所述串并联数量计算器与所述中央处理器连接。
6.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述传输装置设置有定位装置,所述定位装置能够将待测组件固定在所述传输装置的轨道上,且使所述红外相机设置在所述待测组件的几何中心的正上方,所述定位装置与所述控制装置连接。
7.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,所述接触装置包括移动装置,所述移动装置为可上下移动的滑块装置,所述滑块装置通过滑动使所述接触装置与所述光伏组件的正负极电连接,所述滑块装置包括滑块组件以及设置在滑块组件内的限位组件和缓冲组件,限位组件配置为限制滑块组件的行程,缓冲组件配置为缓冲滑块组件与光伏组件接触时的压力。
8.如权利要求7所述的检测系统,其特征在于,
所述滑块装置为气缸滑块装置。
9.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述传输装置包括进料传输装置、良品出料传输装置和不良品出料传输装置,所述进料传输装置分别与所述良品出料传输装置及所述不良品出料传输装置连接,并且所述良品出料传输装置的传送方向与所述进料传输装置的传送方向相同,所述不良品出料传输装置的传送方向与所述进料传输装置的传送方向相垂直。
10.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述接触装置包括第一接触柱和第二接触柱,所述第一接触柱和所述第二接触柱分别能够与待检组件的正电极和负电极接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东汉能薄膜太阳能有限公司,未经广东汉能薄膜太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821601248.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造