[实用新型]反相器及GOA电路有效
| 申请号： | 201821605866.5 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN208903642U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 余华伦 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层 薄膜晶体管 第一基板 遮光层 第二基板 多晶硅层 反相器 | ||
1.一种反相器，用于GOA电路，其特征在于，所述反相器包括：
第一薄膜晶体管，包括：
第一基板；
至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；
第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；
第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及
第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及
第二薄膜晶体管，包括：
第二基板；
至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；
第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；
第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及
第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，
其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或
所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。
2.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。
3.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，
所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。
4.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
6.一种GOA电路，其特征在于，包括多个反相器，每一反相器包括：
第一薄膜晶体管，包括：
第一基板；
至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；
第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；
第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及
第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及
第二薄膜晶体管，包括：
第二基板；
至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；
第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；
第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及
第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，
其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或
所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。
7.根据权利要求6所述的GOA电路，其特征在于，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。
8.根据权利要求6所述的GOA电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，
所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。
9.根据权利要求6所述的GOA电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
10.根据权利要求6所述的GOA电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
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