[实用新型]反相器及GOA电路

说明书

一种反相器，包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；以及第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二遮光层上；以及第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。还提供一种GOA电路。

技术领域

本揭示涉及显示装置，特别是涉及一种用于显示装置的反相器及GOA电路。

背景技术

阵列栅极驱动(Gate driver On Array，GOA)电路是利用显示面板的制程将控制扫描线的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组件制作在显示面板的显示区周边。GOA电路包括反相器、(inverter，INV)、传输门(transfer gate，TG)、与非门(NAND gate)、或非门(NOR gate)等基本逻辑电路。

请参阅图1，图1显示现有技术中利用反相器输出扫描信号至扫描线G的示意图。

所述反相器包括P型薄膜晶体管P以及N型薄膜晶体管N。所述P型薄膜晶体管P的栅极及所述N型薄膜晶体管N的栅极电性连接至输入端点IN。所述P型薄膜晶体管P的源极电性连接至直流电压源VGH(高电平)。所述N型薄膜晶体管N的源极电性连接至直流电压源VGL(低电平)。所述P型薄膜晶体管P的漏极及所述N型薄膜晶体管N的漏极电性连接至所述扫描线G。

当一高电平讯号输入至所述输入端点IN时，所述P型薄膜晶体管P不导通，所述N型薄膜晶体管N导通，所述扫描线G为低电平(电性连接至直流电压源VGL)。

当一低电平讯号输入至所述输入端点IN时，所述P型薄膜晶体管P导通，所述N型薄膜晶体管N不导通，所述扫描线G为高电平(电性连接至直流电压源VGH)。

当所述P型薄膜晶体管P的电气特性变差，导致临界电压(threshold voltage)Vth往正数值偏移，因此P型薄膜晶体管P的Vgs会趋于临界电压Vth，P型薄膜晶体管P的导通电流增大。直流电压源VGH(高电平)和直流电压源VGL(低电平)之间会存在导通路径，最终导致扫描线G趋近于0伏特，进而使得与画素电性连接的薄膜晶体管慢慢导通，漏电流增加，导致面板出现串扰现象。

因此需要对现有技术中的问题提出解决方法。

实用新型内容

当P型薄膜晶体管的电气特性变差，导致临界电压往正数偏移，使得与画素电性连接的薄膜晶体管慢慢导通，漏电流增加，导致面板出现串扰现象。

本揭示的目的在于提供一种反相器及GOA电路，其能解决现有技术中的问题。

为解决上述问题，本揭示提供的一种反相器，用于GOA电路，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。

于一实施例中，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。