[实用新型]基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备有效
申请号: | 201821617060.8 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN209081981U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 朱磊;倪志松;尹翔 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片载板 第二基板 第一基板 拼接结构 插头部 插座部 载板 本实用新型 大尺寸基片 太阳能电池 插接组合 加工效率 拼装连接 有效解决 制造设备 变形量 产能 多块 基板 加工 保证 芯片 应用 | ||
1.一种基片载板,其特征在于,包括第一基板和第二基板,所述第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部,所述第一基板和所述第二基板之间通过所述插头部和所述插座部相对的插接组合。
2.根据权利要求1所述的基片载板,其特征在于,所述插头部和所述插座部分别向外伸出有互为反向对称的凸台,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的凸台与所述插座部的凸台之间具有表面契合的拼接面。
3.根据权利要求2所述的基片载板,其特征在于,所述凸台为阶梯结构。
4.根据权利要求2所述的基片载板,其特征在于,所述插头部的凸台和所述插座部的凸台上分别设有回勾段和回勾槽,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的回勾段插装在所述插座部的回勾槽内,且所述插座部的回勾段插装在所述插头部的回勾槽内。
5.根据权利要求4所述的基片载板,其特征在于,所述插头部的回勾段与所述插座部的回勾段互为反向对称设置。
6.根据权利要求1所述的基片载板,其特征在于,所述插座部上设有凹槽,所述插头部为向外延伸的凸起,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的凸起嵌入所述插座部的凹槽内,且所述插头部的凸起与所述插座部的凹槽之间具有表面契合的拼接面。
7.根据权利要求6所述的基片载板,其特征在于,所述凹槽和凸起之间的所述拼接面为弧面。
8.根据权利要求1-7任一项所述的基片载板,其特征在于,该基片载板还包括至少一个连接板,各个所述连接板顺序插接在所述第一基板和所述第二基板之间,每个所述连接板的一端设有所述插座部,每个所述连接板的另一端设有所述插头部。
9.根据权利要求1-7任一项所述的基片载板,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板上分别设有载片区,在所述第一基板和所述第二基板插接组合时,所述第一基板的载片区与所述第二基板的载片区组合成完整载片槽。
10.一种MOCVD设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的基片载板。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的