[实用新型]基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备有效
申请号: | 201821617060.8 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN209081981U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 朱磊;倪志松;尹翔 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片载板 第二基板 第一基板 拼接结构 插头部 插座部 载板 本实用新型 大尺寸基片 太阳能电池 插接组合 加工效率 拼装连接 有效解决 制造设备 变形量 产能 多块 基板 加工 保证 芯片 应用 | ||
本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域,尤其涉及一种基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备。该基片载板包括第一基板和第二基板,第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部,第一基板和第二基板之间通过插头部和插座部相对的插接组合;基于该基片载板提出了一种MOCVD设备。该基片载板利用拼接结构将多块基板通过拼装连接为一体,可以有效解决大尺寸基片载板加工难度大的问题,在保证载板拼接结构强度的同时,降低加工成本,提高加工效率,有助于提升芯片产能,并且该基片载板的使用强度能够得到有效保证,同时具有较小的变形量,能够很好的应用在MOCVD设备中,从而确保工艺质量满足要求。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域,尤其涉及一种基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备。
背景技术
金属有机化合物化学气相沉淀技术(以下简称MOCVD)是在气相外延生长(英文简称VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质,并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在设计制造MOCVD设备时,通常要考虑设备密封性、流量温度控制要精确、组分变换要迅速、以及设备结构要牢固紧凑等。
在太阳能电池行业使用的MOCVD设备内,载板上的基片在加热腔室中被加热到所需温度,之后进行气相化学沉积加工工艺。该MOCVD设备内使用的载板作为搭载基片的重要载具,亦是制造环节中的关键部件,其强度与变形对基片良品率有较大影响。
目前,载板通常为整块一体结构。随着产能需求的扩大,载板上基片的尺寸和数量不断增加,故而载板的尺寸也在不断扩大。然而,大尺寸载板的加工难度大甚至难以加工,且加工成本高昂,因此,整体结构的载板反而成为提升产能的重要瓶颈。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是提供了一种基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备,可以有效解决大尺寸基片载板加工难度大的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种基片载板,包括第一基板和第二基板,所述第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部,所述第一基板和所述第二基板之间通过所述插头部和所述插座部相对的插接组合。
进一步的,所述插头部和所述插座部分别向外伸出有互为反向对称的凸台,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的凸台与所述插座部的凸台之间具有表面契合的拼接面。
进一步的,所述凸台为阶梯结构。
进一步的,所述插头部的凸台和所述插座部的凸台上分别设有回勾段和回勾槽,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的回勾段插装在所述插座部的回勾槽内,且所述插座部的回勾段插装在所述插头部的回勾槽内。
进一步的,所述插头部的回勾段与所述插座部的回勾段互为反向对称设置。
进一步的,所述插座部上设有凹槽,所述插头部为向外延伸的凸起,在所述插头部和插座部相对插接组合时,所述插头部的凸起嵌入所述插座部的凹槽内,且所述插头部的凸起与所述插座部的凹槽之间具有表面契合的拼接面。
进一步的,所述凹槽和凸起之间的所述拼接面为弧面。
进一步的,该基片载板还包括至少一个连接板,各个所述连接板顺序插接在所述第一基板和所述第二基板之间,每个所述连接板的一端设有所述插座部,每个所述连接板的另一端设有所述插头部。
进一步的,所述第一基板和所述第二基板上分别设有载片区,在所述第一基板和所述第二基板插接组合时,所述第一基板的载片区与所述第二基板的载片区组合成完整载片槽。
本实用新型还提供了一种MOCVD设备,包括如上所述的基片载板。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的