[实用新型]一种晶圆检测系统有效
申请号: | 201821622959.9 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN208738192U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 鲁泽;周雨;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像采集模块 晶圆传送盒 晶圆 机械手臂 图像数据 数字图像处理模块 检测系统 采集 种晶 参考图像数据 晶圆检测系统 重力方向延伸 本实用新型 生产效率 内侧壁 形变 比对 产能 判定 检测 | ||
本实用新型提供了一种晶圆检测系统,用于对晶圆传送盒内的晶圆进行检测,包括晶圆传送盒、数字图像处理模块及一沿重力方向延伸设置的机械手臂,机械手臂上包括第一图像采集模块,第一图像采集模块用于在机械手臂运动到设定位置时,采集晶圆传送盒内的所有晶圆的一侧的图像数据,晶圆传送盒的内侧壁上,设置有用于采集所有晶圆的另一侧的图像数据的第二图像采集模块,数字图像处理模块用于分别将第一图像采集模块和第二图像采集模块采集的图像数据与参考图像数据进行比对,判定晶圆传送盒内的晶圆的位置及形变程度。提高了晶圆检测系统的准确性,提高了生产效率。从而节省了工时,提高了产能。
技术领域
本实用新型属于半导体设备制造领域,涉及一种晶圆检测系统。
背景技术
每一批(Lot)晶圆在到达量测站点量测前首先会经过晶圆检测(Wafer Mapping),由于工艺过程中的环境参数等各种因素会造成晶圆产生微小形变差异及边缘差异,而且这些差异广泛存在于同批次的晶圆与晶圆之间及不同批次(Lot)的晶圆之间,工艺设备状态异常会导致晶圆出现明显异常,晶圆的形变差异及边缘差异这两种情形容易造成检测出错,甚至在检测出错时造成量测设备故障,严重影响了量测设备的效率。
图1,是现有技术中的一种晶圆检测系统的结构示意图,请参考图1,传统的晶圆检测(Wafer Mapping)的机械手臂1(Load Port Door)从上往下运动,并通过机械手臂1上的一组二极管发射端和光线接收端配合完成检测晶圆2在晶圆传送盒3FOUP(Front OpenUnified Pod)内的状态,并判别是否存在晶圆2缺失、晶圆2断裂及跨槽放置晶圆2等缺陷。通过这种方式检测的准确度较低,对于一些因为工艺流程中各种因素而产生的微小形变的晶圆2的检测不准确,容易在检测出错时导致量测设备故障。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆检测系统,以解决现有技术中的晶圆检测的准确性差进而降低生产效率的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆检测系统,用于对晶圆传送盒内的晶圆进行检测,包括晶圆传送盒、数字图像处理模块及一沿重力方向延伸设置的机械手臂,所述机械手臂上包括第一图像采集模块,所述第一图像采集模块用于在所述机械手臂运动到设定位置时采集所述晶圆传送盒内的所有晶圆的第一图像数据;
所述晶圆传送盒的内侧壁上设置有用于采集所有所述晶圆的第二图像数据的第二图像采集模块;
所述第一图像数据为靠近所述机械手臂一侧的所述晶圆的图像数据;
所述第二图像数据为远离所述机械手臂一侧的其余的所述晶圆的图像数据;
所述第一图像采集模块和所述第二图像采集模块分别连接于所述数字图像处理模块,所述数字图像处理模块中存储有参考图像数据,所述数字图像处理模块用于分别将所述第一图像数据和所述第二图像数据与所述参考图像数据进行比对,并判定所述晶圆传送盒内的所述晶圆的位置及形变程度。
优选地,所述第二图像采集模块与所述晶圆之间还设置有一凹透镜,所述凹透镜连接于所述第二图像采集模块上,或者,所述凹透镜连接于所述晶圆传送盒上。
优选地,所述第二图像采集模块位于所述晶圆传送盒上远离所述机械手臂的一侧的内侧壁上。
优选地,所述第二图像采集模块位于所述晶圆传送盒上远离所述机械手臂的一侧的内侧壁的中间位置。
优选地,所述第一图像采集模块位于所述机械手臂的顶部。
优选地,所述第一图像采集模块和所述第二图像采集模块均为CCD光电图像传感器。
优选地,所述第一图像采集模块和所述第二图像采集模块均为CMOS图像传感器。
优选地,所述设定位置为所述晶圆传送盒沿垂直于所述机械手臂的对称面与所述机械手臂的交点位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821622959.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体制造设备的排气监控系统
- 下一篇:大角度翻转晶圆浸泡装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造