[实用新型]一种单晶炉用的对中调节装置有效

专利信息
申请号: 201821628048.7 申请日: 2018-10-08
公开(公告)号: CN209114036U 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 王维 申请(专利权)人: 北京北方华创真空技术有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 魏雪梅;麻雪梅
地址: 100015 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 座板 调平 对中调节装置 底板 单晶炉 焊接波纹管 纵向调节孔 部件设置 横向通孔 板支撑 外边沿 止挡部 本实用新型 底板纵向 内部构造 平面调节 相对设置 纵向调节 纵向位置 对中性 上端面 坩埚轴 上端 产率 搭接 单晶 软轴 提拉 开口 支撑
【说明书】:

实用新型涉及单晶炉技术领域,公开了一种单晶炉用的对中调节装置,包括底板;调平座板设置在底板的上方并与底板纵向相对设置并且间隔开,在调平座板的外边沿构造有纵向调节孔;焊接波纹管;座板支撑设置在底板和调平座板之间并位于焊接波纹管的外侧,调平座板的外边沿搭接在座板支撑的上端面,在座板支撑的上端面的外侧边沿构造有止挡部,在止挡部的内部构造有开口朝向调平座板的外侧面的横向通孔;平面调节部件设置在横向通孔内并能调节调平座板在水平面内的前、后、左以及右方向上的运动;以及纵向调节部件设置在纵向调节孔内并能调节调平座板的纵向位置。该对中调节装置具有使得提拉头、软轴以及坩埚轴的对中性好和单晶的产率高的优点。

技术领域

本实用新型涉及单晶炉技术领域,特别是涉及一种单晶炉用的对中调节装置。

背景技术

单晶炉是太阳能电池级单晶硅的主要制备设备。近年来,单晶炉规格朝着大直径、大型化的方向发展,晶体的直径逐渐从6英寸发展到12英寸。晶体的大型化发展已经成为了当前的主流趋势。

单晶炉是直拉法晶体生长的原理的典型设备,随着单晶炉直径的变大,晶体的生长需要非常稳定的运动和对称的热场,所以,直拉生长法中单晶炉提拉头、软轴以及坩埚轴三者的旋转中心重合与否对晶体的品质有着至关重要的作用,三者的对中程度是决定能否拉制出质量优和尺寸大的单晶硅的必要条件之一。其中,提拉头位于该坩埚轴的上方,该提拉头的下端连接软轴,软轴的下端带有紫晶并能伸入到坩埚内并与坩埚内的多晶硅溶液相接触,多晶硅与紫晶接触后便会生出单晶,在单晶生长的过程中,提拉头和软轴均与坩埚相对反向旋转,如果三者的旋转中心的对中性不好,那么坩埚在旋转的过程中,坩埚内的原料液的阻力便会将坩埚内的晶棒甩动起来,从而使晶棒发生倾斜,导致晶棒偏离热场中心,使得晶棒发生扭曲变形或是导致晶体生长时发生位错或是拉不出单晶。

另外,单晶炉温度场呈梯度分布,并绕坩埚轴的中心对称,如果三者旋转中心对中不好,则会导致单晶受热不均,晶棒上的某点随晶棒进行旋转的过程中所受的温度就会一直发生变化,这就会对晶体的生长造成热冲积,从而影响晶体的内在品质。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型的目的是提供一种单晶炉用的对中调节装置,以解决现有技术中由于提拉头、软轴以及坩埚轴三者在单晶拉制的过程中的旋转中心对中性差,从而导致单晶受热不均,晶棒上的某点随晶棒进行旋转的过程中所受的温度就会一直发生变化,这就会对晶体的生长造成热冲积,从而影响晶体的内在品质的技术问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种单晶炉用的对中调节装置,包括:底板;调平座板,设置在所述底板的上方并与所述底板纵向相对设置并且间隔开,在所述调平座板的外边沿构造有纵向调节孔;焊接波纹管,设置在所述底板和所述调平座板之间;座板支撑,设置在所述底板和所述调平座板之间并位于所述焊接波纹管的外侧,所述调平座板的外边沿搭接在所述座板支撑的上端面,在所述座板支撑的上端面的外侧边沿构造有止挡部,在所述止挡部的内部构造有开口朝向所述调平座板的外侧面的横向通孔;平面调节部件,设置在所述横向通孔内并能调节所述调平座板在水平面内的前、后、左以及右方向上的运动;以及纵向调节部件,设置在所述纵向调节孔内并能调节所述调平座板的纵向位置。

其中,在所述调平座板的中间区域构造有第一通孔,在所述底板的中间区域构造有第二通孔,所述焊接波纹管的上端嵌入所述第一通孔内,所述焊接波纹管的下端通过法兰上的法兰孔与所述第二通孔连接。

其中,在所述第二通孔内安装有定位管,所述定位管位于所述焊接波纹管的正下方。

其中,在所述调平座板上构造有安装孔,所述安装孔位于所述纵向调节孔的内侧。

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