[实用新型]太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的异质发射极结构，其特征在于，包括：基底(1)、第一掺杂层(2)、钝化隧穿层(3)、第二掺杂层(4)、钝化减反射层(5)和正面电极(6)；

所述基底(1)、所述第一掺杂层(2)、所述钝化隧穿层(3)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化减反射层(5)依次排列，所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)与所述第二掺杂层(4)接触。

2.根据权利要求1所述的异质发射极结构，其特征在于，所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化隧穿层(3)，并与所述第一掺杂层(2)接触。

3.根据权利要求1或2所述的异质发射极结构，其特征在于，所述基底(1)具有第一导电类型，所述第一掺杂层(2)和所述第二掺杂层(4)均具有第二导电类型。

4.根据权利要求1或2所述的异质发射极结构，其特征在于，所述第一掺杂层(2)的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。

5.根据权利要求1或2所述的异质发射极结构，其特征在于，所述第二掺杂层(4)的厚度为1-50nm。

6.根据权利要求1或2所述的异质发射极结构，其特征在于，所述钝化隧穿层(3)的厚度为0.1-5nm。

7.一种太阳能电池，其特征在于，包括：背面钝化膜(7)和背面电极(8)以及如权利要求1-6中任一项所述的异质发射极结构；

所述背面钝化膜(7)设置于所述异质发射极结构中基底(1)的与第一掺杂层(2)相对的一侧；所述背面电极(8)设置于所述背面钝化膜(7)的与所述基底(1)相对的一侧；所述背面电极(8)通过所述背面钝化膜(7)的接触区域(10)与所述基底(1)接触。