[实用新型]太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池有效
申请号: | 201821646743.6 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN209029390U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 李华;童洪波;张洪超;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人: | 商琛 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 掺杂层 钝化 电池 发射极结构 减反射层 正面电极 隧穿层 异质 本实用新型 转换效率 有效地 基底 表面钝化 表面复合 串联电阻 横向传输 填充因子 依次排列 正表面 穿过 | ||
本实用新型提供了一种太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池。该太阳能电池的异质发射极结构包括:基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层、钝化减反射层和正面电极;基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层依次排列,正面电极穿过所述钝化减反射层与第二掺杂层接触。本实用新型中,增加了钝化隧穿层,有效地降低了电池的表面复合速率,从而提高了电池的表面钝化性能;正面电极和第二掺杂层接触,可有效地提高电池正表面的横向传输效率,降低电池的串联电阻,从而提高电池的填充因子和转换效率可提高太阳能电池的转换效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池。
背景技术
目前,随着化石能源的逐渐耗尽,太阳电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。
目前市场上商业化的太阳电池片的结构,均是在基底的表面制备一层掺杂层,然后再在其上制备钝化层及电极。在这种情况下,表面掺杂层的掺杂浓度需要比较高,才能使得电阻率比较低,使得在电池片表面的载流子横向传输至电池电极时有较小的电阻损耗。而在表面掺杂浓度比较高的情况下,空穴和电子的复合加大,尤其是在高浓度掺杂的方式下,通常会产生没有进行有效掺杂的“死层”杂质以及掺杂损伤,使得电池的开路电压,短路电流等效率进一步降低。但如果降低表面掺杂,降低表面复合速率,则会导致横向导电能力受到制约,并且这种结构对于降低表面复合速率和提高表面钝化效果来说,效果也极为有限。迫切的需要一种方法解决这一问题,从而提高电池的转换效率。
发明内容
本实用新型针对现有方式的缺点,提出一种太阳能电池的异质发射极结构和太阳能电池,用以解决现有技术存在电池的转换效率低的技术问题。
第一方面,本实用新型实施例提供了太阳能电池的异质发射极结构,包括:基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层、钝化减反射层和正面电极;基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层依次排列,正面电极穿过钝化减反射层与第二掺杂层接触。
进一步地,正面电极穿过钝化减反射层、第二掺杂层和钝化隧穿层与第一掺杂层接触。
进一步地,基底具有第一导电类型,第一掺杂层和第二掺杂层均具有第二导电类型。
进一步地,第一掺杂层的方块电阻的取值范围为50ohm/sq-300ohm/sq。
进一步地,第二掺杂层的厚度为1-50nm。
进一步地,钝化隧穿层的厚度为0.1-5nm。
第二方面,本实用新型实施例提供了一种太阳能电池,包括:背面钝化膜和背面电极以及如本实用新型实施例第一方面提供的异质发射极结构;
背面钝化膜设置于异质发射极结构中基底的与第一掺杂层相对的一侧;背面电极设置于背面钝化膜的与基底相对的一侧;背面电极通过背面钝化膜的接触区域与基底接触。
本实用新型实施例提供的技术方案,至少具有如下有益效果:
1)相对于现有技术,本实用新型实施例增加了钝化隧穿层,有效地降低了电池的表面复合速率,从而提高了电池的表面钝化性能;
2)正面电极和第二掺杂层接触,可有效地提高电池正表面的横向传输效率,降低电池的串联电阻,从而提高电池的填充因子和转换效率。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的