[实用新型]有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件有效

专利信息
申请号: 201821652169.5 申请日: 2018-10-11
公开(公告)号: CN208970561U 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 李松举;李哲;宋晶尧;付东 申请(专利权)人: 广东聚华印刷显示技术有限公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L25/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄菲
地址: 510000 广东省广州市广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 增益结构 有机薄膜晶体管 第一电极 有机物薄膜 发光层 晶体管 绝缘层 电磁辐射 显示器件 沟道区 填充槽 源层 本实用新型 第二电极 电连接 迁移率 透明的 衬底 漏区 透明 贯穿 应用
【权利要求书】:

1.一种有机薄膜晶体管的自增益结构,其特征在于,包括:

第一电极层,所述第一电极层透明,所述第一电极层设置在所述有机薄膜晶体管的透明衬底上,所述第一电极层用于与所述有机薄膜晶体管的有源层的漏区电连接;

绝缘层,设置在所述第一电极层上,所述绝缘层设有贯穿至所述第一电极层的填充槽;

发光层,位于所述填充槽中且设置在所述第一电极层上;以及

第二电极层,设置在所述发光层上。

2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的自增益结构,其特征在于,所述第二电极层为光反射电极层。

3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的自增益结构,其特征在于,所述第二电极层为透明电极层。

4.一种有机薄膜晶体管,其特征在于,包括:

透明衬底;

有源层,设置在所述透明衬底上,所述有源层包括沟道区以及分别与所述沟道区连接的源区和漏区;

第一电极层,设置在所述透明衬底上,且所述第一电极层与所述有源层位于所述透明衬底的相对两侧,所述第一电极层与所述漏区电连接;

绝缘层,设置在所述第一电极层远离所述透明衬底的表面上,所述绝缘层设有贯穿至所述第一电极层的填充槽;

发光层,位于所述填充槽中且设置在所述第一电极层上,所述发光层在所述透明衬底上的正投影与所述沟道区在所述透明衬底上的正投影至少部分重叠;以及

第二电极层,设置在所述发光层上。

5.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述第二电极层为光反射电极层。

6.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述第二电极层为透明电极层。

7.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述透明衬底设有供所述漏区与所述第一电极层电连接的通孔。

8.如权利要求4~7任一项所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,还包括栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述有源层上。

9.如权利要求8所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,还包括栅极层,所述栅极层设置在所述栅极绝缘层上。

10.一种显示器件,其特征在于,具有如权利要求1~3任一项所述的自增益结构或权利要求4~9任一项所述的有机薄膜晶体管。

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