[实用新型]有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件有效
申请号: | 201821652169.5 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN208970561U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 李松举;李哲;宋晶尧;付东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L25/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄菲 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增益结构 有机薄膜晶体管 第一电极 有机物薄膜 发光层 晶体管 绝缘层 电磁辐射 显示器件 沟道区 填充槽 源层 本实用新型 第二电极 电连接 迁移率 透明的 衬底 漏区 透明 贯穿 应用 | ||
本实用新型涉及一种有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件。该自增益结构包括:透明的第一电极层,设置在所述有机薄膜晶体管的透明衬底上,用于与所述有机薄膜晶体管的有源层的漏区电连接;绝缘层,设置在所述第一电极层上,所述绝缘层设有贯穿至所述第一电极层的填充槽;发光层,位于所述填充槽中且设置在所述第一电极层上;以及第二电极层,设置在所述发光层上。上述自增益结构,可应用于有机物薄膜晶体管,该自增益结构具有发光层,能够为有机物薄膜晶体管的沟道区提供电磁辐射,利用该电磁辐射,可以使有机物薄膜晶体管的有源层的沟道区的迁移率大大增加。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件。
背景技术
目前的平板显示中,广泛采用了薄膜晶体管作为有源驱动显示的基础,以此来实现高速图像转换和高分辨率的显示效果。其中,薄膜晶体管作为有源驱动的重要组成部分,目前主流驱动器件为非晶硅、多晶硅和氧化物薄膜晶体管。但这些薄膜晶体管的制备一般都需要在高温制程、半导体光刻制程中获得,制程复杂、成本较高。而OTFT(有机薄膜晶体管)作为有一定研究历史的有源驱动器件,其优点体现在可以使用低温的溶液加工制程制备、可以使用打印的方式做出图案,摒弃了复杂的光刻制程;然而,由于OTFT的迁移率与非晶硅、多晶硅和氧化物薄膜晶体管对比相差较大(如下表所示),其发展一直以来受到限制。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种有机薄膜晶体管及其自增益结构、显示器件,以解决有机薄膜晶体管的迁移率较低的问题。
一种有机薄膜晶体管的自增益结构,包括:
第一电极层,所述第一电极层透明,所述第一电极层用于设置在所述有机薄膜晶体管的透明衬底上,所述第一电极层用于与所述有机薄膜晶体管的有源层的漏区电连接;
绝缘层,设置在所述第一电极层上,所述绝缘层设有贯穿至所述第一电极层的填充槽;
发光层,位于所述填充槽中且设置在所述第一电极层上;以及
第二电极层,设置在所述发光层上。
一种有机薄膜晶体管,包括:
透明衬底;
有源层,设置在所述透明衬底上,所述有源层包括沟道区以及分别与所述沟道区连接的源区和漏区;
第一电极层,设置在所述透明衬底上,且所述第一电极层与所述有源层位于所述透明衬底的相对两侧,所述第一电极层与所述漏区电连接;
绝缘层,设置在所述第一电极层远离所述透明衬底的表面上,所述绝缘层设有贯穿至所述第一电极层的填充槽;
发光层,位于所述填充槽中且设置在所述第一电极层上,所述发光层在所述透明衬底上的正投影与所述沟道区在所述透明衬底上的正投影至少部分重叠;以及
第二电极层,设置在所述发光层上。
一种显示器件,具有所述的自增益结构或所述的有机薄膜晶体管。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
上述自增益结构,可应用于有机物薄膜晶体管,该自增益结构具有发光层,能够为有机物薄膜晶体管的沟道区提供电磁辐射,利用该电磁辐射,可以使有机物薄膜晶体管的有源层的沟道区的迁移率大大增加。
具有上述自增益结构的有机薄膜晶体管及显示器件,设置有自增益结构,从而构成双驱动结构。自增益结构为有机物薄膜晶体管的沟道区提供电磁辐射,利用该电磁辐射,可以使有源层的沟道区的开态电流大大增加,提高晶体管的开关电流比、迁移率、减少开启电压和亚阈值摆幅,实现有机薄膜晶体管的自增益。
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