[实用新型]半导体结构、半导体器件及存储装置有效
| 申请号： | 201821652441.X | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN208835046U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊盘 半导体结构 电源线 电源焊盘 半导体器件 存储装置 芯片 预设 半导体技术领域 电源线连接 产品故障 产品良率 方向延伸 芯片故障 组件分割 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
芯片；
电源线，设于所述芯片，且沿预设方向延伸；
第一焊盘组件，设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；所述间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度均大于所述第三间隙；所述第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，所述电源焊盘与所述电源线连接，且位于所述第一间隙和所述第二间隙之间；所述电源焊盘、所述第一间隙和所述第二间隙均位于所述电源线的两端之间。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隙和所述第二间隙中至少一个的宽度不小于15μm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一焊盘组件的焊盘还包括：
第一焊盘，位于所述电源焊盘一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第一间隙为所述第一焊盘与所述电源焊盘间的间隙；
第二焊盘，位于所述电源焊盘远离所述第一焊盘的一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第二间隙为所述第二焊盘与所述电源焊盘间的间隙；
第三焊盘，位于所述第一焊盘远离所述电源焊盘的一侧，所述第三间隙为所述第三焊盘与所述第一焊盘间的间隙。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
第二焊盘组件，设于所述电源线远离所述第一焊盘组件的一侧，所述第二焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第二焊盘组件分割为至少三个焊盘；所述第二焊盘组件的间隙包括第四间隙和第五间隙，所述第四间隙和所述第五间隙的宽度均大于所述第三间隙，所述第四间隙与所述第一间隙正对设置，所述第五间隙与所述第二间隙正对设置。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第四间隙和所述第五间隙中至少一个的宽度不小于15μm。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隙与所述第四间隙的宽度相同，所述第二间隙与所述第五间隙的宽度相同。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个权利要求1-6任一项所述的半导体结构，各所述半导体结构堆叠设置。
8.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求7所述的半导体器件。
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