[实用新型]半导体结构、半导体器件及存储装置

说明书

本公开提供一种半导体结构、半导体器件及存储装置，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括芯片、电源线和第一焊盘组件；电源线设于芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件，设于芯片且位于电源线一侧，第一焊盘组件具有多个沿预设方向分布的间隙，以将第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，第一间隙和第二间隙的宽度均大于第三间隙；第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，电源焊盘与电源线连接，且位于第一间隙和第二间隙之间；电源焊盘、第一间隙和第二间隙均位于电源线的两端之间。本公开的半导体结构可避免因部分芯片故障而造成的产品故障，有利于提高产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构、半导体器件及存储装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，芯片堆叠技术已经广泛的应用于各类存储器，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等。通常需要将多个芯片堆叠起来，并进行连接，形成一个整体，以提高性能。

但是，对于堆叠设置的多个芯片而言，有些芯片可能会存在电路故障，导致芯片出现功能失效或漏电等问题，难以正常工作，且在堆叠后，会，会造成最终产品出现故障，使产品良率较低。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种半导体结构、半导体器件及存储装置，可避免因部分芯片故障而造成的产品故障，有利于提高产品良率。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：

芯片；

电源线，设于所述芯片，且沿预设方向延伸；

第一焊盘组件，设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；所述间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度均大于所述第三间隙；所述第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，所述电源焊盘与所述电源线连接，且位于所述第一间隙和所述第二间隙之间；所述电源焊盘、所述第一间隙和所述第二间隙均位于所述电源线的两端之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一间隙和所述第二间隙中至少一个的宽度不小于15μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘组件的焊盘还包括：

第一焊盘，位于所述电源焊盘一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第一间隙为所述第一焊盘与所述电源焊盘间的间隙；

第二焊盘，位于所述电源焊盘远离所述第一焊盘的一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第二间隙为所述第二焊盘与所述电源焊盘间的间隙；

第三焊盘，位于所述第一焊盘远离所述电源焊盘的一侧，所述第三间隙为所述第三焊盘与所述第一焊盘间的间隙。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：

第二焊盘组件，设于所述电源线远离所述第一焊盘组件的一侧，所述第二焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第二焊盘组件分割为至少三个焊盘；所述第二焊盘组件的间隙包括第四间隙和第五间隙，所述第四间隙和所述第五间隙的宽度均大于所述第三间隙，所述第四间隙与所述第一间隙正对设置，所述第五间隙与所述第二间隙正对设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第四间隙和所述第五间隙中至少一个的宽度不小于15μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一间隙与所述第四间隙的宽度相同，所述第二间隙与所述第五间隙的宽度相同。