[实用新型]一种新型光刻版有效
| 申请号： | 201821656828.2 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN208922055U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马祖光;郭光辉 | 申请（专利权）人： | 济南晶硕电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司： | 济南瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人： | 徐健 |
| 地址： | 250217 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阶梯边缘 光刻版 光刻 规则图形 梯形边缘 防漏电 图像区 漏电 边缘位置 打火现象 正常图形 重新设计 对位 刻版 对称 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型光刻版，包括光刻版本体；其特征在于：所述的光刻版本体设有光刻图像区，光刻图像区边缘设有防漏电结构，所述的防漏电结构为梯形边缘，梯形边缘设有最高边缘，最高边缘两端设有对称的阶梯边缘，分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘，左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。
2.根据权利要求1所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的光刻版本体设有支撑架，支撑架中部设有置物腔体，置物腔体边缘设有真空梯形槽和真空环槽，支撑架上部设有光刻板区，支撑架底部设有支撑结构。
3.根据权利要求2所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的置物腔体内可以放置硅片。
4.根据权利要求2所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的真空梯形槽设置在真空环槽内。
5.根据权利要求2所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的支撑架为长方形结构，支撑架上部设有环形支撑面，支撑架的下部设有长方形的支撑座。
6.根据权利要求2所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的支撑结构为支撑底座，所述的支撑底座的数量为四个，分别位于支持架底部的四个边角。
7.根据权利要求2所述的一种新型光刻版，其特征在于：所述的支撑架底部设有真空梯形槽和真空环槽的连通接口。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
