[实用新型]一种新型光刻版有效
申请号: | 201821656828.2 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN208922055U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 马祖光;郭光辉 | 申请(专利权)人: | 济南晶硕电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F7/20 |
代理公司: | 济南瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人: | 徐健 |
地址: | 250217 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阶梯边缘 光刻版 光刻 规则图形 梯形边缘 防漏电 图像区 漏电 边缘位置 打火现象 正常图形 重新设计 对位 刻版 对称 | ||
本实用新型公开了一种新型光刻版,包括光刻版本体;所述的光刻版本体设有光刻图像区,光刻图像区边缘设有防漏电结构,所述的防漏电结构为梯形边缘,梯形边缘设有最高边缘,最高边缘两端设有对称的阶梯边缘,分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘,左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。通过对光刻版图形重新设计,在最边缘位置原有图形的基础上,增加一规则图形。通过增加的规则图形,避免了光刻版中正常图形边缘一圈造成的漏电打火现象。
技术领域
本实用新型涉及工业生产设备领域,确切地说是一种新型光刻版。
背景技术
根据原有光刻版设计的图形,在实际生产中,非常突出的表现为最边缘一圈芯片,在测试探针台上进行电性测试时,极其容易出现漏电打火现象,造成最边缘一圈芯片电性不良,良品率明显降低,增加生产成本。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是根据原有光刻版设计的图形,在实际生产中,非常突出的表现为最边缘一圈芯片,在测试探针台上进行电性测试时,极其容易出现漏电打火现象,造成最边缘一圈芯片电性不良,良品率明显降低,增加生产成本。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术手段:
一种新型光刻版,包括光刻版本体;所述的光刻版本体设有光刻图像区,光刻图像区边缘设有防漏电结构,所述的防漏电结构为梯形边缘,梯形边缘设有最高边缘,最高边缘两端设有对称的阶梯边缘,分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘,左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。通过对光刻版图形重新设计,在最边缘位置原有图形的基础上,增加一规则图形。通过增加的规则图形,避免了光刻版中正常图形边缘一圈造成的漏电打火现象。
作为优选,本实用新型更进一步的技术方案是:
所述的光刻版本体设有支撑架,支撑架中部设有置物腔体,置物腔体边缘设有真空梯形槽和真空环槽,支撑架上部设有光刻板区,支撑架底部设有支撑结构。通过设置针对本设置光刻板设计的支撑架,支撑效果好,光刻效率高。
所述的置物腔体内可以放置硅片。
所述的真空梯形槽设置在真空环槽内。通过设真空槽的设置,减少打火情况。
所述的支撑架为长方形结构,支撑架上部设有环形支撑面,支撑架的下部设有长方形的支撑座。
所述的支撑结构为支撑底座,所述的支撑底座的数量为四个,分别位于支持架底部的四个边角。
所述的支撑架底部设有真空梯形槽和真空环槽的连通接口。
本实用新型通过对光刻版图形的重新设计,彻底解决了行业中长期存在的边缘一圈容易出现打火漏电现象,极大、直接的提高了产品的良品率。支撑架为合金材质特殊的边缘结构,在配合真空处理槽体,减少打火漏电的概率,提高产品质量,提升工作效率。
附图说明
图1为本实用新型的光刻版本体的结构示意图。
图2为本实用新型的支撑架的俯视图。
图3为本实用新型的支撑架的剖视图。
附图标记说明:1-光刻版本体;2-光刻图像区;3-梯形边缘;4-最高边缘;5-阶梯边缘;6-支撑架;7-真空梯形槽;8-真空环槽内;9-支撑面;10-支撑座;11-连通接口;12-置物腔体。
具体实施方式
下面结合实施例,进一步说明本实用新型。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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