[实用新型]一种新型光刻版有效

专利信息
申请号: 201821656828.2 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN208922055U 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 马祖光;郭光辉 申请(专利权)人: 济南晶硕电子有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72;G03F7/20
代理公司: 济南瑞宸知识产权代理有限公司 37268 代理人: 徐健
地址: 250217 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 阶梯边缘 光刻版 光刻 规则图形 梯形边缘 防漏电 图像区 漏电 边缘位置 打火现象 正常图形 重新设计 对位 刻版 对称
【说明书】:

实用新型公开了一种新型光刻版,包括光刻版本体;所述的光刻版本体设有光刻图像区,光刻图像区边缘设有防漏电结构,所述的防漏电结构为梯形边缘,梯形边缘设有最高边缘,最高边缘两端设有对称的阶梯边缘,分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘,左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。通过对光刻版图形重新设计,在最边缘位置原有图形的基础上,增加一规则图形。通过增加的规则图形,避免了光刻版中正常图形边缘一圈造成的漏电打火现象。

技术领域

本实用新型涉及工业生产设备领域,确切地说是一种新型光刻版。

背景技术

根据原有光刻版设计的图形,在实际生产中,非常突出的表现为最边缘一圈芯片,在测试探针台上进行电性测试时,极其容易出现漏电打火现象,造成最边缘一圈芯片电性不良,良品率明显降低,增加生产成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是根据原有光刻版设计的图形,在实际生产中,非常突出的表现为最边缘一圈芯片,在测试探针台上进行电性测试时,极其容易出现漏电打火现象,造成最边缘一圈芯片电性不良,良品率明显降低,增加生产成本。

为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术手段:

一种新型光刻版,包括光刻版本体;所述的光刻版本体设有光刻图像区,光刻图像区边缘设有防漏电结构,所述的防漏电结构为梯形边缘,梯形边缘设有最高边缘,最高边缘两端设有对称的阶梯边缘,分别为左侧阶梯边缘和右侧的阶梯边缘,左侧阶梯边缘和右侧阶梯边缘形状、结构相互对位镜像。通过对光刻版图形重新设计,在最边缘位置原有图形的基础上,增加一规则图形。通过增加的规则图形,避免了光刻版中正常图形边缘一圈造成的漏电打火现象。

作为优选,本实用新型更进一步的技术方案是:

所述的光刻版本体设有支撑架,支撑架中部设有置物腔体,置物腔体边缘设有真空梯形槽和真空环槽,支撑架上部设有光刻板区,支撑架底部设有支撑结构。通过设置针对本设置光刻板设计的支撑架,支撑效果好,光刻效率高。

所述的置物腔体内可以放置硅片。

所述的真空梯形槽设置在真空环槽内。通过设真空槽的设置,减少打火情况。

所述的支撑架为长方形结构,支撑架上部设有环形支撑面,支撑架的下部设有长方形的支撑座。

所述的支撑结构为支撑底座,所述的支撑底座的数量为四个,分别位于支持架底部的四个边角。

所述的支撑架底部设有真空梯形槽和真空环槽的连通接口。

本实用新型通过对光刻版图形的重新设计,彻底解决了行业中长期存在的边缘一圈容易出现打火漏电现象,极大、直接的提高了产品的良品率。支撑架为合金材质特殊的边缘结构,在配合真空处理槽体,减少打火漏电的概率,提高产品质量,提升工作效率。

附图说明

图1为本实用新型的光刻版本体的结构示意图。

图2为本实用新型的支撑架的俯视图。

图3为本实用新型的支撑架的剖视图。

附图标记说明:1-光刻版本体;2-光刻图像区;3-梯形边缘;4-最高边缘;5-阶梯边缘;6-支撑架;7-真空梯形槽;8-真空环槽内;9-支撑面;10-支撑座;11-连通接口;12-置物腔体。

具体实施方式

下面结合实施例,进一步说明本实用新型。

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