[实用新型]温度控制装置

权利要求书

1.一种温度控制装置，其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器；

其特征是，所述的同步信号形成单元包括变压器B1、桥式整流器QL1、三极管T1, 变压器B1的初级线圈与市电连接，变压器B1的次级线圈与桥式整流器QL1的输入端连接，桥式整流器QL1输出端的正极通过电阻R1接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R8接地，三极管T1的集电极接地，三极管T1的发射极接三极管T2的集电极；

所述的温度检测单元包括正温度系数的热敏电阻RT、三极管T2、电容C2，热敏电阻RT的一端接三极管T2的基极，热敏电阻RT的另一端接地，三极管T2的基极通过可变电阻R2接稳压电源VDD，三极管T2的发射极通过电阻R3接稳压电源VDD，三极管T2的集电极通过电容C2接地；

所述的比较单元包括比较器A1，比较器A1的同相输入端接三极管T2的集电极，比较器A1的反相输入端通过电阻R4接稳压电源VDD，比较器A1的反相输入端通过可变电阻R5接地，比较器A1的输出端输出比较信号；

所述的双向可控硅驱动单元包括光耦GE1，光耦GE1的发光二极管的阳极通过电阻R6接比较器A1的输出端，光耦GE1的发光二极管的阴极接地，光耦GE1的光电触发二极管的一端通过电阻R7接双向可控硅KG的阳极，光耦GE1的光电触发二极管的另一端接双向可控硅KG的控制极，电热器受控于双向可控硅KG。

2.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征是，所述的稳压电源VDD包括二极管D1、电解电容C1、型号为WH7809的集成稳压电路IC1，二极管D1的阳极接桥式整流器QL1输出端的正极，二极管D1的阴极通过电解电容C1接地，二极管D1的阴极接集成稳压电路IC1的引脚1，集成稳压电路IC1的引脚2接地，集成稳压电路IC1的引脚3输出9V的电压。