[实用新型]温度控制装置有效
申请号: | 201821659744.4 | 申请日: | 2018-10-13 |
公开(公告)号: | CN208805738U | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 贾巧凤 | 申请(专利权)人: | 贾巧凤 |
主分类号: | G05D23/24 | 分类号: | G05D23/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 双向可控硅 加热 三极管 温度检测单元 温度控制装置 充电 集电极电流 热敏电阻 同步信号 形成单元 交流电 正温度系数 电热器 输出 比较单元 充电电路 范围减小 功率输出 恒温控制 驱动单元 逐渐减小 放电 零时 | ||
一种用来控制加热温度的温度控制装置,其包括温度检测单元、同步信号形成单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器;其中温度检测单元由正温度系数的热敏电阻RT、三极管T2、电容C2组成的充电电路,热敏电阻RT的变化时三极管T2集电极电流随之变化,三极管T2集电极电流对电容C2充电,同步信号形成单元在交流电过零时对电容C2放电,当加热温度与设定值相差较大时,电容C2充电速度快,双向可控硅输出的功率较大;当加热温度向设定值靠近时电容C2充电速度变慢,双向可控硅输出的功率逐渐减小;当加热温度等于或大于设定值时双向可控硅无功率输出;使得加热温度的波动范围减小,具有较高的恒温控制性能。
技术领域
本发明涉及一种温度控制装置,其由电子元件构成。
背景技术
现有的温度控制装置的结构一般包括温度传感器、比较器、开关元件,温度传感器对温度进行检测,检测到的温度信号通过比较器与一设定值进行比较,当温度信号等于或大于设定值时开关元件切断电源,电热器停止加热,当当温度信号小于设定值时开关元件接通电源,电热器加热。其不足之处是,温度只能在一定范围内稳定,不能满足恒温要求较高的场合。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提出一种温度控制装置,该温度控制装置具有较高的控制精度,温度波动范围较小。
本发明的技术方案是,一种温度控制装置,其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器;
其特征是,所述的同步信号形成单元包括变压器B1、桥式整流器QL1、三极管T1,变压器B1的初级线圈与市电连接,变压器B1的次级线圈与桥式整流器QL1的输入端连接,桥式整流器QL1输出端的正极通过电阻R1接三极管T1的基极,三极管T1的基极通过电阻R8接地,三极管T1的集电极接地,三极管T1的发射极接三极管T2的集电极;
所述的温度检测单元包括正温度系数的热敏电阻RT、三极管T2、电容C2,热敏电阻RT的一端接三极管T2的基极,热敏电阻RT的另一端接地,三极管T2的基极通过可变电阻R2接稳压电源VDD,三极管T2的发射极通过电阻R3接稳压电源VDD,三极管T2的集电极通过电容C2接地;
所述的比较单元包括比较器A1,比较器A1的同相输入端接三极管T2的集电极,比较器A1的反相输入端通过电阻R4接稳压电源VDD,比较器A1的反相输入端通过可变电阻R5接地,比较器A1的输出端输出比较信号;
所述的双向可控硅驱动单元包括光耦GE1,光耦GE1的发光二极管的阳极通过电阻R6接比较器A1的输出端,光耦GE1的发光二极管的阴极接地,光耦GE1的光电触发二极管的一端通过电阻R7接双向可控硅KG的阳极,光耦GE1的光电触发二极管的另一端接双向可控硅KG的控制极,电热器受控于双向可控硅KG。
与现有技术相比,本温度控制装置通过双向可控硅来调节电热器功率,当加热温度与设定值相差较大时,双向可控硅输出的功率较大;当加热温度向设定值靠近时双向可控硅输出的功率逐渐减小;当加热温度等于或大于设定值时双向可控硅无功率输出;使得加热温度的波动范围减小,具有较高的恒温控制性能。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
现结合附图说明本发明的具体实施方式。
一种温度控制装置,其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元。
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