[实用新型]一种芯片键合装置有效
申请号: | 201821677654.8 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN208738196U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 朱鸷;赵滨 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 键合 芯片传输 芯片放置 芯片键合 补偿台 载片 芯片分离单元 本实用新型 补偿单元 芯片位置 交接 位置补偿 移动 产率 承载 | ||
本实用新型公开了一种芯片键合装置。该芯片键合装置包括芯片分离单元、第一芯片传输单元、芯片位置补偿单元、第二芯片传输单元及键合单元;芯片分离单元承载带有多个芯片的第一载片,并使芯片与第一载片分离;芯片位置补偿单元包括补偿台,补偿台包括多个芯片放置位、多个芯片补偿位及多个芯片交接位;第一芯片传输单元依次将获取到的芯片放至每个芯片放置位;补偿台将每个芯片放置位的芯片移动到芯片补偿位依次进行位置补偿,再移动至芯片交接位;第二芯片传输单元一次从芯片交接位获取多个芯片,并转移至键合单元,完成键合操作。本实用新型的技术方案,通过一次将多个芯片与第二载片键合,解决现有技术键合效率低的问题,有效提高产率。
技术领域
本实用新型实施例涉及芯片封装技术,尤其涉及一种芯片键合装置。
背景技术
随着科学技术的发展,电子产品日益朝着轻、薄以及小型化方向发展。由于芯片-晶圆键合技术(chip-to-wafer,C2W)相比于晶圆-晶圆键合技术(wafer-to-wafer)而言,其可以对芯片的性能进行提前测试,剔除掉不良的芯片,故可以具有更高的良率和更低的产品成本,尤其在多层晶圆键合应用上具备更大的优势,故芯片键合技术的应用日益增多。
随着芯片键合工艺的不断发展,芯片键合的产率和精度的不足愈发凸显,现有技术通常采用单个芯片的顺序取放和键合,在保证高键合精度的同时提高产率已成为业界努力的目标。而现有技术由于运动机构的速度限制,导致产率提升困难。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种芯片键合装置,以提高芯片键合效率,提高产率。
本实用新型实施例提供一种芯片键合装置,包括:芯片分离单元、第一芯片传输单元、芯片位置补偿单元、第二芯片传输单元以及键合单元;
所述芯片分离单元用于承载带有多个芯片的第一载片,并在所述第一芯片传输单元获取所述芯片时使所述芯片与所述第一载片分离;
所述芯片位置补偿单元包括补偿台,所述补偿台包括多个芯片放置位、多个芯片补偿位以及多个芯片交接位;
所述第一芯片传输单元依次将获取到的所述芯片放至每个所述芯片放置位;
所述补偿台用于将每个所述芯片放置位的所述芯片移动到所述芯片补偿位依次进行位置补偿,再移动至所述芯片交接位;
所述第二芯片传输单元用于一次从所述芯片交接位获取所述补偿台上的多个芯片,并转移至所述键合单元,与位于所述键合单元的第二载片完成键合操作。
本实用新型实施例提供一种芯片键合装置,包括芯片分离单元、第一芯片传输单元、芯片位置补偿单元、第二芯片传输单元以及键合单元;通过芯片分离单元承载带有多个芯片的第一载片,并在第一芯片传输单元获取芯片时使芯片与第一载片分离;芯片位置补偿单元包括补偿台,补偿台包括多个芯片放置位、多个芯片补偿位以及多个芯片交接位;通过第一芯片传输单元依次将获取到的芯片放至每个芯片放置位;通过补偿台将每个芯片放置位的芯片移动到芯片补偿位依次进行位置补偿,再移动至芯片交接位;通过第二芯片传输单元一次从芯片交接位获取补偿台上的多个芯片,并转移至键合单元,与位于键合单元的第二载片完成键合操作。通过一次将多个芯片与第二载片键合,解决现有技术采用单个芯片的顺序取放和键合时键合效率低的问题,有效提高产率。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种芯片键合装置的结构示意图;
图2是图1所示的芯片键合装置的俯视示意图;
图3是本实用新型实施例提供的一种第一芯片传输单元的结构示意图;
图4是图3所示的第一芯片传输单元的俯视示意图;
图5是本实用新型实施例提供的一种芯片位置补偿单元的局部结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造