[实用新型]一种用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置有效

专利信息
申请号: 201821681272.2 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN208977573U 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 谢鸿波;李智彪;黄晋强;郭勇文;权纪亮;刘军 申请(专利权)人: 广州半导体材料研究所
主分类号: B24B37/12 分类号: B24B37/12;B24B37/34
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 510000 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 插销座 上磨盘 升降杆 双面研磨 插销件 硅晶片 磨盘 插销 推拉机构 中空窗 顶面 空气压缩系统 本实用新型 固定螺栓孔 研磨机操作 两侧边缘 外周侧面 意外事件 插销槽 龙门架 研磨机 有效地 横梁 气缸 跌落 平行 贯穿 配套 损害
【说明书】:

实用新型公开了一种用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置,包括止跌环、插销座、插销件和推拉机构,止跌环固定在上磨盘升降杆的外周侧面上,止跌环的直径大于上磨盘升降杆的直径,插销座上设置有贯穿其顶面和底面的中空窗,插销座顶面两侧边缘设置有插销槽,插销座通过插销座固定螺栓孔固定安装在研磨机龙门架的横梁下面,中空窗可使上磨盘升降杆和止跌环上下通过,插销件的端部为插销脚,两个插销脚的平行间距大于上磨盘升降杆的直径,并且小于止跌环的直径,推拉机构与插销件固定连接;该用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置可以有效地防止当气缸或其配套空气压缩系统出现意外事件时,上磨盘跌落对研磨机操作人员或有关物品带来损害。

技术领域

本实用新型涉及一种用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置。

背景技术

半导体晶片(下称:晶片)的双面研磨机(下称:研磨机),用于对晶片的双面磨削减薄。研磨机的磨削机构主要由上、下两个磨盘组成,被磨削的晶片放置在两个磨盘的相对盘面之间,磨削时研磨机的上、下两个磨盘按需要的力度贴住晶片,然后做相对旋转。研磨时须在两个磨盘之间加入液体状的磨料。研磨经过一段时间,就达到对晶片磨削减薄的效果。

研磨晶片前,必须将晶片按要求放置在研磨机下磨盘的盘面上,这时研磨机的上磨盘处于“提升”位,示意图如附图1;研磨时,研磨机的上磨盘要处于“下降”位,示意图如附图2;研磨后,要将晶片从上、下磨盘间的盘面上取走,这时研磨机的上磨盘要再次处于提升位......如此循环直到完成研磨任务后停机。停机时,研磨机的上磨盘也处于提升位。

研磨机是利用龙门架上的提升气缸(小型气缸),作用于上磨盘升降杆来提升和下降研磨机的上磨盘(见附图1和附图2),在提升位时,也要通过提升气缸内的压缩空气来支撑气缸内的活塞,使上磨盘能悬停在空中。较大型的研磨机,上磨盘的重量超过100公斤,尤其是研磨机经过长年使用之后,沉重的上磨盘依靠一个小型气缸内的压缩空气来支撑,难以保证不会发生压缩空气泄漏失压的意外,这样就存在着操作人员在上磨盘的下方放置晶片和取走晶片时的安全风险。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中的缺陷,提供一种可以有效地防止当气缸或其配套空气压缩系统出现意外事件时,上磨盘跌落对研磨机操作人员或有关物品带来损害的用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置,来解决现有技术中存在的问题。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:

一种用于硅晶片双面研磨机上磨盘的止跌装置,包括止跌环、插销座、插销件和推拉机构,所述止跌环固定在上磨盘升降杆的外周侧面上,所述止跌环的直径大于上磨盘升降杆的直径,所述插销座上设置有贯穿其顶面和底面的中空窗,所述插销座顶面两侧边缘设置有插销槽,所述插销座通过插销座固定螺栓孔固定安装在研磨机龙门架的横梁下面,安装时,所述插销座的中空窗垂直对中于上磨盘升降杆的中轴线,所述中空窗可使上磨盘升降杆和止跌环上下通过,所述插销槽作为插销件的横向滑动轨道,所述插销件的端部为插销脚,所述插销脚呈分叉状,两个插销脚的平行间距大于上磨盘升降杆的直径,并且小于止跌环的直径,所述推拉机构与插销件固定连接,用于驱动插销件运动。

为了进一步实现本实用新型,所述止跌环采用内嵌式螺杆固定在上磨盘升降杆上。

为了进一步实现本实用新型,所述推拉机构为推拉气缸。

为了进一步实现本实用新型,所述推拉气缸的推拉杆与插销件的端部固定连接,所述推拉气缸固定在研磨机龙门架的横梁下面。

为了进一步实现本实用新型,所述推拉气缸采用缓冲型、双作用气缸。

为了进一步实现本实用新型,所述止跌环、插销座、插销件均为不锈钢制成。

有益效果

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州半导体材料研究所,未经广州半导体材料研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821681272.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top