[实用新型]一种晶圆的清洗设备有效
| 申请号： | 201821691229.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN209071282U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈琦南 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供液管路 控制阀门 混液槽 混液 本实用新型 清洗设备 去离子水 显影液 液体pH 传感器 晶圆 种晶 自动流量控制阀 流量比例控制 冲洗管道 管路连通 出液口 清洗液 入液口 酸碱 连通 清洗 震荡 卫星 | ||
1.一种晶圆的清洗设备，其特征在于，包括：第一供液管路、第一控制阀门、第二供液管路、第二控制阀门、混液管路、混液槽以及液体pH传感器；所述第一供液管路和第二供液管路连通于所述混液管路，所述第一供液管路设置有所述第一控制阀门，所述第二供液管路设置有所述第二控制阀门，所述混液管路连通于所述混液槽的入液口，所述混液槽的出液口连接晶圆冲洗管道，并设置有所述液体pH传感器。
2.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第一供液管路用于导流去离子水，并通过所述第一控制阀门用于控制所述去离子水的流量在预设的第一时间段内从预设的第一流量提升至预设的第二流量。
3.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第二供液管路用于导流显影液，并通过所述第二控制阀门用于控制所述显影液的流量在预设的第一时间段内从预设的第二流量降低至预设的第一流量。
4.根据权利要求1所述的晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液管路将所述第一供液管路的去离子水和所述第二供液管路的显影液输送到所述混液槽。
5.根据权利要求4所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液槽用于混合所述去离子水和所述显影液，将混合后的液体通过晶圆清洗管道清洗所述晶圆。
6.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述pH传感器检测所述混液槽的出液口液体的pH值，并根据所检测到的pH值控制所述第一控制阀门和所述第二控制阀门，使所述混液槽的出液口液体的pH值从13.2按照预设降低速率降低至7。
7.根据权利要求1所述晶圆的清洗设备，其特征在于，所述第一控制阀门和所述第二控制阀门的流量控制范围为0ml/min至3000ml/min。
8.根据权利要求1所述的晶圆的清洗设备，其特征在于，所述混液槽的容量为1ml至1000ml。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
