[实用新型]一种晶圆的清洗设备有效
申请号: | 201821691229.4 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN209071282U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 陈琦南 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供液管路 控制阀门 混液槽 混液 本实用新型 清洗设备 去离子水 显影液 液体pH 传感器 晶圆 种晶 自动流量控制阀 流量比例控制 冲洗管道 管路连通 出液口 清洗液 入液口 酸碱 连通 清洗 震荡 卫星 | ||
本实用新型实施例提供了一种晶圆的清洗设备,包括:第一供液管路、第一控制阀门、第二供液管路、第二控制阀门、混液管路、混液槽以及液体pH传感器;所述第一供液管路和第二供液管路连通于所述混液管路,所述第一供液管路设置有所述第一控制阀门,所述第二供液管路设置有所述第二控制阀门,所述混液管路连通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口连接晶圆冲洗管道,并设置有所述液体pH传感器。本实用新型实施例的技术方案能够在去离子水的路径中加入显影液,并加上自动流量控制阀,在去离子水清洗流程中利用流量比例控制加入显影液来降低酸碱震荡的影响,将清洗液从13.2逐渐降至7,而不会产生瞬间的变化,解决了晶圆的卫星状缺陷。
技术领域
本实用新型涉及半导体存储器技术领域,具体而言,涉及一种晶圆的清洗设备。
背景技术
目前,卫星状缺陷普遍存在于光刻显影后,其发生的原因是未曝光区的光刻胶接触显影液后在去离子水清洗时因为显影液为pH值13.2,而去离子水pH值7,如图1所示,造成了酸咸震荡,使光刻胶产生析出物附着于表面,如图2所示,造成以打开的洞被回填,影响晶圆的良品率。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种晶圆的清洗设备,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的晶圆在清洗过程中酸碱震荡产生卫星状缺陷等一个或者多个问题。
本实用新型实施例的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本实用新型的实践而习得。
根据本实用新型实施例的第一方面,提供一种晶圆的清洗设备,包括:第一供液管路、第一控制阀门、第二供液管路、第二控制阀门、混液管路、混液槽以及液体pH传感器;所述第一供液管路和第二供液管路连通于所述混液管路,所述第一供液管路设置有所述第一控制阀门,所述第二供液管路设置有所述第二控制阀门,所述混液管路连通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口连接晶圆冲洗管道,并设置有所述液体pH传感器。
在本实用新型的一个实施例中,上述第一供液管路用于导流去离子水,并通过所述第一控制阀门用于控制所述去离子水的流量在预设的第一时间段内从预设的第一流量提升至预设的第二流量。
在本实用新型的一个实施例中,上述第二供液管路用于导流显影液,并通过所述第二控制阀门用于控制所述显影液的流量在预设的第一时间段内从预设的第二流量降低至预设的第一流量。
在本实用新型的一个实施例中,上述混液管路将所述第一供液管路的去离子水和所述第二供液管路的显影液输送到所述混液槽。
在本实用新型的一个实施例中,上述混液槽用于混合所述去离子水和所述显影液,将混合后的液体通过晶圆清洗管道清洗所述晶圆。
在本实用新型的一个实施例中,上述pH传感器检测所述混液槽的出液口液体的pH值,并根据所检测到的pH值控制所述第一控制阀门和所述第二控制阀门,使所述混液槽的出液口液体的pH值从13.2按照预设降低速率降低至7。
在本实用新型的一个实施例中,上述第一控制阀门和所述第二控制阀门的流量控制范围为0ml/min至3000ml/min。
在本实用新型的一个实施例中,上述混液槽的容量为1ml至1000ml。
根据本实用新型实施例的第二方面,提供一种晶圆的清洗方法,包括:
向混液槽供给去离子水和显影液;
所述去离子水和显影液在所述混液槽中进行混合,获得混合液以及所述混合液的pH值;
基于所述混合液的pH值分别控制所述去离子水和显影液向所述混液槽供给的流量,获得预设pH值的混合液;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造