[实用新型]一种电平转换电路有效
申请号: | 201821693423.6 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN208836110U | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 何永强;程剑涛;杜黎明;罗旭程;张艳萍 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平转换电路 阻抗 高速传输性能 本实用新型 传输能力 电压变化 电阻恒定 限流作用 影响电平 转换电路 电容 引入 申请 | ||
1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:
第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,以及第一阻抗和第二阻抗;
其中,所述第一NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端;
所述第二NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端;
所述第一PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极共接,作为所述电平转换电路的第一输出端;
所述第二PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极共接,作为所述电平转换电路的第二输出端;
所述第一PMOS管的源极以及所述第一阻抗的第一端相连;
所述第二PMOS管的源极以及所述第二阻抗的第一端相连;
所述第一阻抗的第二端与所述第二阻抗的第二端共接,连接至电源;
其中,所述第一阻抗和所述第二阻抗为恒定阻抗,所述恒定阻抗为不随电流变化的阻抗。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一阻抗和所述第二阻抗均为不随通过其电流的大小而变化的电阻,且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。
3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,
所述第一NMOS管的衬底端与其源极相连并接地;
所述第二NMOS管的衬底端与其源极相连并接地。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,
所述第一PMOS管的衬底端与其源极相连;
所述第二PMOS管的衬底端与其源极相连。
5.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的尺寸大小相同;所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同。
6.一种电平转换电路,其特征在于,包括:
第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管,以及第一阻抗和第二阻抗;
其中,所述第一PMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端;
所述第二PMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端;
所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极均与电源相连;
所述第一NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极共接,作为所述电平转换电路的第一输出端;
所述第二NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极共接,作为所述电平转换电路的第二输出端;
所述第一NMOS管的源极与所述第一阻抗的一端相连;
所述第一阻抗的另一端接地;
所述第二NMOS管的源极与所述第二阻抗的一端相连;
所述第二阻抗的另一端接地;
其中,所述第一阻抗和所述第二阻抗为恒定阻抗,所述恒定阻抗为不随电流变化的阻抗。
7.根据权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一阻抗和所述第二阻抗均为不随通过其电流的大小而变化的电阻。
8.根据权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,
所述第一PMOS管的衬底端与其源极相连;
所述第二PMOS管的衬底端与其源极相连。
9.根据权利要求8所述的电平转换电路,其特征在于,
所述第一NMOS管的衬底端与其源极相连;
所述第二NMOS管的衬底端与其源极相连。
10.根据权利要求8所述的电平转换电路,其特征在于,
所述第一NMOS管的衬底端与所述第二NMOS管的衬底端均接地。
11.根据权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同;所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的尺寸大小相同。
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