[实用新型]一种电平转换电路

说明书

本申请提供一种电平转换电路，在现有电平转换电路中增加设置了电阻恒定的第一阻抗和第二阻抗起到限流作用。且通过设置第一阻抗和第二阻抗的位置，避免第一阻抗和第二阻抗的加入引入新的电容，从而影响电平转换电路的高速传输性能。另外，本实用新型提供的电平转换电路还能够在VDD电压变化时，尤其当VDD较低时，同样具有较好的高速传输性能。而且相对于现有技术中的电平转换电路的最高速传输能力有所提高。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种电平转换电路。

背景技术

在模拟芯片和芯片级系统(System on Chip，SOC)的设计研发过程中，由于采用了不相兼容的电源电压等原因，系统内部常常出现输入/输出逻辑不协调的问题，因此需要进行电平转换。电平转换电路即是用于将低电压域所对应的高电平信号及低电平信号(VINA，VINB)转换成高电压域对应的高电平信号及低电平信号(VOUTA，VOUTB)，或相反的一种电子电路。

也即模拟芯片和SOC系统中可能存在多个电压域的情况，而不同的电压域之间进行控制或时钟信号传输时需要设置一个电平转换电路。通过电平转换电路将低电压域信号转换为高电压域信号，或者相反转换。

然而实际情况中，低电压域和高电压域也会由于应用场景而发生变化，需要在两种电压域各自电平发生变化的同时保持较高的传输速度，例如传输高速时钟信号。

但现有技术中的电平转换电路，受其自身限制，在电平转换过程中，无法满足更高速转换，大大降低了电平转换电路的高速性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种电平转换电路，以解决现有技术中电平转换电路在高速传输情况下，性能较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种电平转换电路，包括：

第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，以及第一阻抗和第二阻抗；

其中，所述第一NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端；

所述第二NMOS管的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端；

所述第一PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极共接，作为所述电平转换电路的第一输出端；

所述第二PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极共接，作为所述电平转换电路的第二输出端；

所述第一PMOS管的源极以及所述第一阻抗的第一端相连；

所述第二PMOS管的源极以及所述第二阻抗的第一端相连；

所述第一阻抗的第二端与所述第二阻抗的第二端共接，连接至电源；

其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗为恒定阻抗，所述恒定阻抗为不随电流变化的阻抗。

优选地，所述第一阻抗和所述第二阻抗均为不随通过其电流的大小而变化的电阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。

优选地，所述第一NMOS管的衬底端与其源极相连并接地；

所述第二NMOS管的衬底端与其源极相连并接地。

优选地，所述第一PMOS管的衬底端与其源极相连；

所述第二PMOS管的衬底端与其源极相连。

优选地，所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的尺寸大小相同；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同。

本实用新型还提供另外一种电平转换电路，包括：