[实用新型]一种晶圆级封装红外探测器有效
| 申请号： | 201821708146.1 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN208706649U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;许正一;陈敏;吴多武 | 申请（专利权）人： | 南京方旭智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 邓超 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体吸附 红外探测器 膜层 涂覆 键合区域 盖子 晶圆 开窗 种晶 封装 半导体技术领域 本实用新型 晶圆级封装 气体吸附剂 密封腔体 键合层 侧壁 底壁 背面 申请 | ||
1.一种晶圆级封装红外探测器，其特征在于，包括：
一盖子晶圆，在所述盖子晶圆的背面上设置有开窗区域、气体吸附区域以及围绕所述气体吸附区域和所述开窗区域的键合区域；所述气体吸附区域开设有用于涂覆气体吸附膜层的第一凹槽，所述键合区域设置有键合层，所述开窗区域涂覆有红外增透抗反射膜。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述气体吸附区域包括：位于所述开窗区域第一侧的第一区域和位于所述开窗区域第二侧的第二区域，相应地，所述第一区域和所述第二区域均开设有所述第一凹槽，所述第一侧与所述第二侧为相对侧。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述气体吸附区域围绕所述开窗区域设置。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述开窗区域开设有第二凹槽，所述涂覆红外增透抗反射膜涂覆于第二凹槽的底壁和侧壁。
5.根据权利要求4所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述第一凹槽的底面和所述第二凹槽的底面位于同一水平线上。
6.根据权利要求4所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，远离所述第二凹槽所述第一凹槽的内侧壁呈台阶状。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述盖子晶圆的正面上设置有对准标记，所述对准标记正对所述键合层的中心。
8.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述盖子晶圆的正面上涂覆有红外增透抗反射膜。
9.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述开窗区域位于盖子晶圆的中心位置。
10.根据权利要求1－9中任一项所述的晶圆级封装红外探测器，其特征在于，所述晶圆级封装红外探测器还包括：
一带有红外敏感像素和读出电路芯片的基板晶圆，所述基板晶圆与所述盖子晶圆的键合层以真空密封的方式键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
