[实用新型]功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201821710262.7 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208923102U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王明玮 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热片 芯片封装 功率MOSFET器件 引脚 散热装置 芯片 电连接 露出面 通孔 本实用新型 封装芯片 紧贴固定 散热效果 损耗功率 相对设置 焊接 紧贴 | ||
1.一种功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，包括芯片封装壳及第一散热片，所述芯片封装壳用于封装芯片，所述芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，所述第一散热片内置于所述芯片封装壳内，所述第一散热片紧贴于芯片S极，所述芯片封装壳朝向所述第一散热片的一面上开设有第一通孔，所述第一散热片背向所述芯片的一面与所述第一通孔相对设置，使所述第一散热片背向所述芯片的一面露出成为第一露出面，所述第一散热片与所述S引脚电连接。
2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述第一散热片为金属片。
3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述第一通孔的形状与所述第一散热片的形状相匹配，以使所述第一散热片内置于所述第一通孔内。
4.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述第一散热片与芯片S极的压焊面全接触，所述第一散热片的一边缘凸出多个第一支臂，所述第一支臂形成所述芯片封装壳上的S引脚。
5.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，还包括第二散热片，所述第二散热片的一面紧贴于芯片的另一面上，所述第二散热片与所述第一散热片分别设于芯片对立的两面，所述芯片封装壳朝向所述第二散热片的面上也开设有第二通孔，所述第二散热片与所述第二通孔相对设置，使所述第二散热片背向所述芯片的一面露出形成第二露出面，所述第二散热片与所述D引脚电连接。
6.根据权利要求5所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述第二散热片与芯片D极的压焊面全接触，所述第二散热片的一边缘凸出多个第二支臂，多个第二支臂形成所述芯片封装壳上的D引脚。
7.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述芯片封装壳还包括一G引脚，所述G引脚与芯片内部的G极电连接。
8.根据权利要求7所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述S引脚、D引脚和G引脚均设有连接部，所述连接部朝向所述第一露出面方向延伸，所述连接部与所述第一露出面处于同一平面。
9.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件散热装置，其特征在于，所述第一散热片的露出面设有凹槽。
10.一种功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率器件包括芯片及权利要求1—9任一所述的功率MOSFET器件散热装置，所述芯片内置于所述功率MOSFET器件散热装置的芯片封装壳中，所述芯片设有S极、D极，所述第一散热片与所述芯片的S极电连接。
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