[实用新型]功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件

说明书

本实用新型公开了一种功率MOSFET器件散热装置，包括芯片封装壳及第一散热片。芯片封装壳用于封装芯片，芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，第一散热片内置于所述芯片封装壳内，第一散热片紧贴于芯片S极，芯片封装壳朝向第一散热片的一面上开设有第一通孔，第一散热片背向所述芯片的一面与第一通孔相对设置，使第一散热片背向芯片的一面露出成为第一露出面，第一散热片与S引脚电连接。通过设置与S引脚电连接的第一散热片，增大了S引脚与PCB板的焊接面积，降低了损耗功率，减少了热量的产生。在使用时，第一散热片露出面与PCB板紧贴固定，提高了功率MOSFET器件整体的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及功率MOSFET器件领域，特别涉及一种功率MOSFET 器件散热装置及功率MOSFET器件。

背景技术

随着现代电子技术的发展，芯片的集成度越来越高，芯片的功率因此越来越大，从而产生大量的热量，影响芯片的工作性能，甚至损坏芯片。传统技术中，有的没有采用散热片进行散热，比如现有的SOP封装系列；有的采用在D引脚电连接散热片的方案，比如现有的DFN封装系列。在DFN封装系列中，D引脚、S引脚、G引脚的朝向为连接D引脚的散热片的方向，使用芯片时，将D引脚、S引脚、G引脚及D引脚连接的散热片焊接在PCB 板上，也能起到良好的散热效果。

通常采用增加独立式散热片或增加与芯片D引脚电连接的散热片的方法对芯片进行散热。对于功率MOSFET器件，实际工作时，芯片整体都会产生较高的热量，现有技术方案中的散热片结构无法到达理想的散热效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够提高功率MOSFET器件散热效率的散热装置。

本实用新型提出一种功率MOSFET器件散热装置，包括芯片封装壳及第一散热片，所述芯片封装壳用于封装芯片，所述芯片封装壳上设有S引脚和 D引脚，所述第一散热片内置于所述芯片封装壳内，所述第一散热片紧贴于 S极，所述芯片封装壳朝向所述第一散热片的一面上开设有第一通孔，所述第一散热片背向所述芯片的一面与所述第一通孔相对设置，使所述第一散热片背向所述芯片的一面露出成为第一露出面，所述第一散热片与所述S引脚电连接。

在其中一实施方式中，所述第一散热片为金属片。

在其中一实施方式中，所述第一通孔的形状与所述第一散热片的形状相匹配，以使所述第一散热片内置于所述第一通孔内。

在其中一实施方式中，所述第一散热片与芯片S极的压焊面全接触，所述第一散热片的一边缘凸出多个第一支臂，所述第一支臂形成S引脚。

在其中一实施方式中，还包括第二散热片，所述第二散热片的一面紧贴于芯片的另一侧表面上，所述第二散热片与所述第一散热片分别设于芯片对立的两侧面，所述芯片封装壳朝向所述第二散热片的一面上也开设有第二通孔，所述第二散热片与所述第二通孔相对设置，使所述第二散热片背向所述芯片的一面露出形成第二露出面，所述第二散热片与所述D引脚电连接。

在其中一实施方式中，所述第二散热片与芯片D极的压焊面全接触，所述第二散热片的一边缘凸出多个第二支臂，多个第二支臂形成所述芯片封装壳上的D引脚。

在其中一实施方式中，所述芯片封装壳还包括一G引脚，所述G引脚与芯片内部的G极电连接。

在其中一实施方式中，所述S引脚、D引脚和G引脚均设有连接部，所述连接部朝向所述第一露出面方向延伸，所述连接部与所述第一露出面处于同一平面。

在其中一实施方式中，所述第一散热片的露出面设有凹槽。

一种功率MOSFET器件，所述功率器件包括芯片及功率MOSFET器件散热装置，所述芯片内置于所述功率MOSFET器件散热装置的芯片封装壳中，所述芯片设有S极、D极，所述第一散热片电连通所述S引脚及所述芯片的S极。