[实用新型]一种应用于手机芯片的晶体二极管有效
| 申请号： | 201821713966.X | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208753328U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 肖南海 | 申请（专利权）人： | 上海音特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 本实用新型 晶体二极管 手机芯片 正极引线 金属板 铝合金 负极引线 纳米管层 集成度 内表壁 外延层 下表面 灵敏 应用 环绕 响应 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于手机芯片的晶体二极管，包括外壳(1)，其特征在于，还包括设置于所述外壳(1)上方的正极引线(2)，设置于所述外壳(1)下方的负极引线(10)，与正极引线(2)连接的铝合金半球(3)，与铝合金半球(3)下表面接触的P型硅层(11)，设置在所述外壳(1)内表壁且环绕P型硅层(11)的N型硅环(6)，设置在所述外壳底部的金属板(8)，设置在金属板(8)和P型硅层(11)之间的N型衬底(7)，设置在N型硅环(6)、N型衬底(7)和P型硅层(11)上方的纳米管层(5)，以及设置在所述N型硅环(6)和P型硅层(11)之间的N型衬底(7)向外形成的外延层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种应用于手机芯片的晶体二极管，其特征在于，所述负极引线(10)与外壳(1)下方的连接处设置有管帽(9)。
3.根据权利要求2所述的一种应用于手机芯片的晶体二极管，其特征在于，所述正极引线(2)和铝合金半球(3)连接处、金属板(8)和负极引线(10)连接处均设置有钼片，用于二极管内部热膨胀的过渡。
4.根据权利要求3所述的一种应用于手机芯片的晶体二极管，其特征在于，所述正极引线(2)和负极引线(10)均为铜合金导线。
5.根据权利要求4所述的一种应用于手机芯片的晶体二极管，其特征在于，所述外壳(1)由耐高温的塑料制成。
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