[实用新型]一种应用于手机芯片的晶体二极管

说明书

本实用新型公开了一种应用于手机芯片的晶体二极管，包括外壳，还包括设置于所述外壳上方的正极引线，设置于所述外壳下方的负极引线，与正极引线连接的铝合金半球，与铝合金半球下表面接触的P型硅层，设置在所述外壳内表壁且环绕P型硅层的N型硅环，设置在所述外壳底部的金属板，设置在金属板和P型硅层之间的N型衬底，设置在N型硅环、N型衬底和P型硅层上方的纳米管层，以及设置在所述N型硅环和P型硅层之间的N型衬底向外形成的外延层。本实用新型达到了反应灵敏、响应速度快、集成度高的效果。

技术领域

本实用新型涉及一种晶体二极管，具体地说，是涉及一种应用于手机芯片的晶体二极管。

背景技术

目前，手机已经普遍化，它在人们的生活中占有很重要的作用，在手机驱动中占有较大作用的二极管也随着科技不断的进步，虽然出现了各种各样的二极管，但在很多方面还存在较大的问题，需要不断地完善。二极管常用于电子设备中起到稳压、调频调制、隔离等作用，为了更好的满足用户的需求，如响应速度快、使用方便、减小发热发烫的现象，在手机芯片中安装一个性能较好的二极管是有必要的，但现有的晶体二极管反应会出现延迟现象，会影响用户使用电子设备效果；或者集成度不够，在电路中占较大位置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种应用于手机芯片的晶体二极管，解决现有晶体二极管反应时间长、集成度不够的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种应用于手机芯片的晶体二极管，包括外壳，还包括设置于所述外壳上方的正极引线，设置于所述外壳下方的负极引线，与正极引线连接的铝合金半球，与铝合金半球下表面接触的P型硅层，设置在所述外壳内表壁且环绕P型硅层的N型硅环，设置在所述外壳底部的金属板，设置在金属板和P型硅层之间的N型衬底，设置在N型硅环、N型衬底和P型硅层上方的纳米管层，以及设置在所述N型硅环和P型硅层之间的N型衬底向外形成的外延层。

进一步地，所述负极引线与外壳下方的连接处设置有管帽。

进一步地，所述正极引线和铝合金半球连接处、金属板和负极引线连接处均设置有钼片，用于二极管内部热膨胀的过渡。

进一步地，所述正极引线和负极引线均为铜合金导线。

进一步地，所述外壳由耐高温的塑料制成。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

(1)本实用新型通过高掺杂的P型硅层、高掺杂的N型硅环、及其之间的底掺杂的N型衬底形成了半导体层，它集中了PN结的电场，在半导体层中吸收系数小，电流形成的时间快，结合芯片主板中的其他电路，解决现有晶体二极管反应时间长的问题，达到了反应灵敏，响应速度快的效果。

(2)本实用新型的铝合金半球导电性好，金属板可增大与二极管内部的接触面积，电流传输速度快，可使电子和空穴快速移动导通二极管传输信号，且设置有固定在外壳底部的管帽，使得二极管的封装性好，集成P型硅层和N型衬底于塑料外壳内部，占用较小体积，解决现有晶体二极管集成度不够的问题，达到了集成度高的效果，应用于电路设备中可有效减小设备的体积。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

其中，附图标记对应的名称为：

1-外壳，2-正极引线，3-铝合金半球，4-外延层，5-纳米管层，6-N型硅环，7-N型衬底，8-金属板，9-管帽，10-负极引线，11-P型硅层。

具体实施方式

下面结合附图说明和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的方式包括但不仅限于以下实施例。

实施例