[实用新型]一种低阻高透过率的ITO导电膜结构有效
| 申请号： | 201821717136.4 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN209071007U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 华建军;卢相学 | 申请（专利权）人： | 惠州市天誉科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;H01B1/02 |
| 代理公司： | 惠州创联专利代理事务所(普通合伙) 44382 | 代理人： | 赵瑾 |
| 地址： | 516227 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 高透过率 低阻 薄膜 电磁屏蔽效果 可见光透过率 透明塑料基材 耐磨性 柔韧性 导电性能 导电膜 低辐射 减反层 透过率 隔热 方阻 | ||
【权利要求书】：
1.一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，包括表层ITO层，设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层，所述Ag膜层与所述SiO2膜层之间设有底层ITO层。
2.根据权利要求1所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，所述透明塑料基材层为镀有IM层的PET基材层。
3.根据权利要求1所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，所述表层ITO层的厚度为23-27nm。
4.根据权利要求1所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，所述Ag膜层的厚度为200-250nm。
5.根据权利要求1所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，所述底层ITO层的厚度为23-27nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构，其特征在于，所述导电膜的厚度为200微米。
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