[实用新型]一种低阻高透过率的ITO导电膜结构

说明书

本实用新型涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，包括表层ITO层，设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO₂膜层、以及设置在所述SiO₂膜层下方的透明塑料基材层。通过设置Ag膜层和SiO₂膜层，可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性，还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本实用新型的方阻低、透过率高，还能起到隔热、低辐射，以及很好的电磁屏蔽效果。

技术领域

本实用新型涉及导电膜技术领域，具体而言，涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构。

背景技术

导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜，基材通常为PET（聚对苯二甲酸类塑料）材质，是在PET薄膜上形成以稀有金属In（铟）为主要原料的ITO（Indium Tin Oxide）靶材而制成的。

作为一种n型半导体材料，ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度（电阻率低）、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征。由于透光率和导电性能较好，ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。 ITO导电膜的主要特性包括：（1）导电性能好，电阻率可达10-4Ω∙ cm；（2）可见光透光率高，可达85%以上；（3）对紫外线具有吸收性，吸收率在85%以上；（4）对红外线具有反射性，反射率在80%以上；（5）对微波具有衰减性，衰减率也可达85%（6）薄层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀；（7）膜层加工性能好，便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。

由于现有的ITO膜的导电率受制于其导电机制以及ITO膜的柔韧性较差，现有的ITO透明导电膜已经无法满足自动售货机等先进光电装置对导电性、透过率、强隔热、低辐射、电磁波屏蔽效果等越来越高的要求。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，其方阻低、透过率高，且具有隔热、低辐射，以及很好的电磁屏蔽效果。

一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，包括表层ITO层，设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO₂膜层、以及设置在所述SiO₂膜层下方的透明塑料基材层。

进一步的，所述透明塑料基材层为镀有IM层的PET基材层。

进一步的，所述表层ITO层的厚度为23-27nm。

进一步的，所述Ag膜层的厚度为200-250nm。

进一步的，所述Ag膜层与所述SiO₂膜层之间设有底层ITO层。

进一步的，所述底层ITO层的厚度为23-27nm。

进一步的，所述导电膜的厚度为200微米。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过设置Ag膜层和SiO₂膜层，可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性，还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本实用新型的方阻低、透过率高，还能起到隔热、低辐射，以及很好的电磁屏蔽效果。

附图说明

图1为本实用新型的低阻高透过率的ITO导电膜结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体实施例及附图对本实用新型作进一步详细描述。