[实用新型]一种抑制浮体效应的新型SOI器件有效
| 申请号： | 201821728293.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN208422920U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞;周广正;代京京 | 申请（专利权）人： | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶层硅膜 源漏区 浮体效应 金属离子 金属层 本实用新型 硅化物表面 浅槽隔离层 栅极氧化物 表面形成 底部硅层 离子形成 依次层叠 源漏电极 栅极侧墙 栅极接触 超浅结 硅化物 上表面 源漏极 栅电极 衬底 环区 漏区 埋层 源栅 离子 掺杂 芯片 占用 申请 | ||
1.一种抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底包括从下往上依次层叠的底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜，所述顶层硅膜的两侧形成有浅槽隔离层，所述顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，所述顶层硅膜的上表面依次设有栅极氧化物和栅电极，所述栅极氧化物和栅电极组成栅极，所述栅极在顶层硅膜的上表面呈Y型分布，所述栅极正下方的顶层硅膜中注入金属离子形成有一金属层，所述栅极一侧的源区掺杂形成有源区超浅结，所述栅极另一侧的漏区掺杂形成有漏区超浅结，所述栅极的周围形成有栅极侧墙，所述源区超浅结下方离子注入形成有源区晕环区，所述漏区超浅结下方离子注入形成有漏区晕环区，所述源区超浅结的表面形成有源极硅化物，所述栅极的表面形成有栅极硅化物，所述漏区超浅结的表面形成有漏极硅化物，所述源极硅化物的表面形成有源电极，所述漏极硅化物的表面形成有漏电极。
2.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述顶层硅膜的厚度为100～200nm。
3.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述金属层的厚度为1～20nm，所述金属层距离顶层硅膜的上表面为50～200nm。
4.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述金属层中的金属为Au、Cu、Fe、Mn和In中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述源极硅化物、栅极硅化物和漏极硅化物为钛化硅、钴化硅和镍化硅中的任意一种。
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