[实用新型]一种扩散后硅片电压检测装置有效
申请号: | 201821731243.2 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN209675242U | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 袁磊;常宇峰 | 申请(专利权)人: | 江苏彩虹永能新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R27/02 |
代理公司: | 11548 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李静<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 215600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 万用表 硅片 表笔 探针 方阻测试仪 铜板 底座 导线连接 探头卡槽 扩散 插孔 电压检测装置 本实用新型 测试 弹簧顶针 方块电阻 硅片放置 同一水平 右侧卡槽 装置结构 左侧卡槽 电压档 双探头 探头 笔针 方阻 卡槽 下端 测量 | ||
本实用新型提供了一种扩散后硅片电压检测装置,其特征在于,包括四探针方阻测试仪,探头卡槽、表笔、弹簧顶针、万用表、铜板底座和导线,所述探头卡槽为双探头卡槽,其左侧卡槽固定安装表笔,右侧卡槽固定安装四探针方阻测试仪,所述表笔与四探针方阻测试仪为同一水平高度;所述表笔顶端笔针下端接触硅片,所述表笔另一端用所述导线连接并插入到所述万用表“+”号插孔中;所述四探针方阻测试仪的探头接触硅片,硅片放置在水平的铜板底座上,所述铜板底座一端用导线连接并插入到所述万用表“‑”号插孔中,把所述万用表调到“2V”电压档,正常测试硅片方块电阻与硅片的扩散后电压差值,判断其是否扩散,整个装置结构简单,操作方便,测量精确。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域,特别涉及一种扩散后硅片电压检测装置。
背景技术
目前,随着太阳能电池片工艺技术的日趋成熟,高效太阳能电池工艺技术发展迅速,扩散为电池工艺技术的核心,高效电池工艺均在探索如何进一步降低扩散后硅片表面“死层”厚度,以获取更优的电池转化效率。而降低硅片扩散后表面磷硅玻璃浓度,就是一种可有效降低扩散后硅片表面“死层”厚度的可行性方法,但导致扩散后硅片扩散面与非扩散面区别不明显,容易把未扩散在制硅片流到下游工序导致批量低效片产生。本实用新型在四探针测试方块电阻的基础上,对四探针方阻测试仪进行改造,可同时用所述万用表测试其硅片扩散后电池电压,在制硅片用万用表测试有电压则说明是已扩散,电压为“0”则是未扩散,检测硅片电压目的是用以区分在制硅片有无扩散。避免在制未扩散电池片流到下一工序,导致批量低效电池片产生。
实用新型内容
为了克服现有技术中无法判断硅片有无扩散的缺陷,本实用新型提供一种扩散后硅片电压检测装置。
为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种扩散后硅片电压检测装置,其特征在于,包括四探针方阻测试仪,探头卡槽、表笔、弹簧顶针、万用表、铜板底座和导线,所述探头卡槽为双探头卡槽,其左侧卡槽固定安装表笔,右侧卡槽固定安装四探针方阻测试仪,所述表笔与四探针方阻测试仪为同一水平高度;所述表笔顶端笔针下端接触硅片,所述表笔另一端用所述导线连接并插入到所述万用表“+”号插孔中;所述四探针方阻测试仪的探头接触硅片,硅片放置在水平的铜板底座上,所述铜板底座一端用导线连接并插入到所述万用表“-”号插孔中,把所述万用表调到“2V”电压档,正常测试硅片方块电阻与硅片的扩散后电压差值,判断其是否扩散。
进一步的,所述所述探头卡槽,材质为金属合金,主要用于定位安装四探针测试探头和所述表笔,把两者固定在同一水平位置。
进一步的,所述表笔顶端笔针为弹簧顶针,在测试硅片方块电阻的过程中,四探针方阻测试仪的四探针下压的同时,所述表笔同时下压,所述弹簧顶针与硅片表面接触,测试其电压差值。
进一步的,所述弹簧顶针,材质为纯铜,安装在所述表笔笔头位置,主要起缓冲作用,避免所述表笔在下压过程中没有缓冲导致测试硅片碎裂。
进一步的,所述铜板底座,为正方形纯铜铜板,长度为20 x 20cm,厚度为1cm。
进一步的,所述导线,为纯铜内芯,主要用于连接所述表笔和所述万用表,以及所述铜板底座和所述万用表。
本实用新型所带来的有益效果是:将四探针方阻测试仪、表笔、万用表与铜板底座行程一条完成的回路,在铜板底座上放置待测试硅片,可同时测试硅片方块电阻与硅片电池电压,当万用表测试有电压时说明硅片已扩散,电压为“0”则是未扩散,可快速区分在制硅片有无扩散,避免未扩散电池片流到下一工序,导致批量低效电池片产生;整个装置结构简单,操作方便,测量精确。
附图说明
图1是本实用新型整体结构图。
图2是本实用新型探头卡槽的前后对比示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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