[实用新型]一种高速晶体管有效
| 申请号： | 201821733956.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN208819889U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张宇;丁庆;吴光胜;冯军正;蓝永海 | 申请（专利权）人： | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上表面 高速晶体管 电压调制 高掺杂 衬底层 非掺杂 沟道层 漏电极 源电极 禁带半导体材料 电子技术领域 本实用新型 二维电子气 高速大功率 市场竞争力 功率性能 击穿电压 间隔设置 器件材料 器件封装 异质结 栅电极 晶体管 超宽 调制 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速晶体管，其特征在于，包括：
衬底层；
设置在所述衬底层上表面的沟道层；
设置在所述沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；
间隔设置在所述电压调制层上表面的源电极和漏电极；及
设置在所述电压调制层上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。
2.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，还包括分别设置在所述源电极区域和所述漏电极区域的两个N型掺杂层。
3.根据权利要求2所述的高速晶体管，其特征在于，所述N型掺杂层的上表面为所述电压调制层上表面。
4.根据权利要求2所述的高速晶体管，其特征在于，所述N型掺杂层的下表面位于所述沟道层上表面和所述沟道层下表面之间。
5.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
6.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述电压调制层为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
7.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述沟道层为非掺杂Ga2O3层。
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