[实用新型]一种焊盘结构

说明书

本实用新型提供一种焊盘结构，包括：金属层；保护层，位于所述金属层上并具有一开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；其中，所述保护层靠近所述开口的周围区域具有若干孔洞。本实用新型通过在保护层靠近开口的周围区域设置若干孔洞，可利用该若干孔洞在保护层靠近开口的侧壁形成斜面，使引线平缓地越过保护层，从而降低引线的应力，进而提高产品的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种焊盘结构。

背景技术

引线键合(wire bonding)是用金属丝将半导体裸芯片(Die)焊区与微电子封装的I/O引线或者基板上的金属布线焊区(Pad)连接起来的工艺技术，通常采用热、压力、超声波能量来进行，在半导体封装领域具有广泛应用。

目前的引线键合工艺中，引线焊点两侧通常为钝化层，作为封装和晶片切割的保护屏障，用以阻挡水汽、破损、α粒子和应力，以实现良好的产品可靠性。引线在越过钝化层时要形成的弯曲以避免与其接触，但引线焊点两侧的钝化层通常是垂直地形成在金属层上，这种情况下引线会形成接近垂直的弯曲，具有高应力和低可靠性，在使用过程中可能会产生断路，从而造成产品良率较低。

需注意的是，前述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本实用新型的背景理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型目的是提供一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构，用以解决引线应力高而导致可靠性较低的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种半导体器件结构的形成方法，包括：

提供金属层；

在所述金属层上形成保护层，在所述保护层形成开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；

在所述保护层靠近所述开口的侧壁形成斜面，所述斜面延伸面与所述金属层所在平面具有第一夹角；

其中，在形成所述开口的同时在所述保护层的开口区域周围形成若干孔洞，再通过热回流方法，使所述孔洞坍塌内缩，从而在所述开口的侧壁形成斜面；

在所述焊盘上形成焊球并向外延伸出引线。

根据本实用新型的一个实施方式，所述开口的长度和宽度范围为5-20um，所述孔洞的长度和宽度的范围为0.3-0.6um。

根据本实用新型的一个实施方式，所述金属层材料为铜、铝、钨或包含这三种金属元素中至少一种金属元素的合金。

根据本实用新型的一个实施方式，所述保护层包括钝化层和位于所述钝化层之上的隔离层；所述钝化层为硅的氧化物层和硅的氮化物层的组合，所述硅的氧化物层形成于所述金属层之上，所述硅的氮化物层形成于所述硅的氧化物层之上；所述隔离层为聚酰亚胺薄膜。

根据本实用新型的一个实施方式，所述焊球和所述引线的材料同为金、银或铝。

根据本实用新型的一个实施方式，所述第一夹角的角度范围为30-60度。

根据本实用新型的一个实施方式，形成所述开口和所述孔洞的方法采用干法刻蚀。

根据本实用新型的一个实施方式，所述热回流的方法采用加热温度范围为200度到400度。

另一方面，本实用新型还提供一种焊盘结构，包括：

金属层；

保护层，位于所述金属层上并具有一开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；

其中，所述保护层靠近所述开口的周围区域具有若干孔洞。