[实用新型]扇出型天线封装结构有效

专利信息
申请号: 201821755416.4 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN208806245U 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 重新布线层 天线封装 扇出型 半导体芯片 金属布线层 天线结构 电连接 封装层 堆叠设置 金属凸块 通孔 多层天线结构 本实用新型 结构性能 整合性 包覆 底面 两层 侧面
【权利要求书】:

1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:

重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一面及第二面;

堆叠设置的至少两层天线结构,所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上,与所述重新布线层中的金属布线层电连接;

半导体芯片,位于所述重新布线层的第一面上,所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接;

封装层,所述封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面,所述封装层中包括显漏所述金属布线层的通孔;

金属凸块,所述金属凸块通过所述通孔与所述金属布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构,其中N≥3。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm~3.0mm。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述天线结构的厚度的范围包括50μm~1000μm。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

6.根据权利要求5所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面,所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面与所述金属连接柱电连接。

7.根据权利要求5所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。

8.根据权利要求5所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述金属凸块凸出于所述通孔。

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