[实用新型]一种测试盘结构和芯片测试装置有效
申请号: | 201821757440.1 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN208796958U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 林立堂 | 申请(专利权)人: | 北京集创北方科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 徐丽 |
地址: | 100088 北京市北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试盘 芯片测试装置 本实用新型 测试垫 绘制 芯片封装测试 测试成本 测试领域 芯片测试 保证 | ||
1.一种测试盘结构,其特征在于,包括:
基板;
基于所述基板制作形成的且延第一方向排列的第一组测试盘和第二组测试盘,所述第一组测试盘包括延所述第一方向排列的多个测试垫,所述第二组测试盘包括延第二方向排列的多个测试垫;
基于所述基板制作形成的多条引线,各所述引线分别与所述第一组测试盘和第二组测试盘中包括的测试垫对应连接,各所述引线延所述第二方向延伸,且分别位于所述第一组测试盘和所述第二组测试盘的两侧。
2.根据权利要求1所述的测试盘结构,其特征在于,所述第一组测试盘包括第一测试垫、第二测试垫和第三测试垫,所述第二组测试盘包括第四测试垫和第五测试垫,所述多个引线包括分别与所述第一测试垫、第二测试垫、第三测试垫、第四测试垫、第五测试垫对应连接的第一引线、第二引线、第三引线、第四引线和第五引线;
所述第一测试垫、第二测试垫和第三测试垫依次延所述第一方向排列于所述基板,所述第四测试垫和第五测试垫依次延所述第二方向排列于所述基板,使得所述第一组测试盘和第二组测试盘中的测试垫在所述第一方向上排列形成四层测试垫结构。
3.根据权利要求2所述的测试盘结构,其特征在于,所述第四引线连接于所述第四测试垫远离所述第五测试垫的一端,所述第五引线连接于所述第五测试垫远离所述第四测试垫的一端,所述第一引线、第二引线和第三引线位于所述第四引线和第五引线之间,所述第一测试垫、第二测试垫、第三测试垫、第四测试垫和第五测试垫位于所述第四引线和第五引线之间。
4.根据权利要求3所述的测试盘结构,其特征在于,所述第一引线连接于所述第一测试垫靠近所述第四引线的一端,所述第二引线连接于所述第二测试垫靠近所述第四引线的一端,所述第三引线连接于所述第三测试垫靠近所述第四引线的一端;或者
所述第一引线连接于所述第一测试垫靠近所述第五引线的一端,所述第二引线连接于所述第二测试垫靠近所述第五引线的一端,所述第三引线连接于所述第三测试垫靠近所述第五引线的一端。
5.根据权利要求3所述的测试盘结构,其特征在于,所述第一引线连接于所述第一测试垫靠近所述第五引线的一端,所述第二引线连接于所述第二测试垫靠近所述第四引线的一端,所述第三引线连接于所述第三测试垫靠近所述第五引线的一端。
6.根据权利要求2所述的测试盘结构,其特征在于,多个所述引线之间相互平行,且各所述引线与相邻的测试垫之间的间距不小于预设值。
7.根据权利要求2所述的测试盘结构,其特征在于,所述第四测试垫和所述第五测试垫相对于一条延所述第一方向延伸的中心线对称设置,所述第四引线和所述第五引线相对于所述中心线对称设置。
8.根据权利要求7所述的测试盘结构,其特征在于,所述第四测试垫和所述第五测试垫相对于所述第一测试垫在所述第一方向上的几何中心线对称设置,所述第四引线和所述第五引线相对于所述几何中心线对称设置。
9.根据权利要求2所述的测试盘结构,其特征在于,所述第一测试垫、第二测试垫、第三测试垫的平面面积依次增大。
10.根据权利要求2所述的测试盘结构,其特征在于,所述第四测试垫和第五测试垫的平面面积相等。
11.一种芯片测试装置,其特征在于,包括半导体芯片和多个上述权利要求1-10中任一项所述的测试盘结构,多个所述测试盘结构延第二方向排列于所述半导体芯片的外围,各所述测试盘结构中的测试垫通过引线与所述半导体芯片的输入输出端连接。
12.根据权利要求11所述的芯片测试装置,其特征在于,所述芯片测试装置包括芯片封装区域和位于该芯片封装区域两侧的测试盘区域;
所述半导体芯片制作于所述芯片封装区域,多个所述测试盘结构制作于所述测试盘区域,并延所述第二方向排列于所述测试盘区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造