[实用新型]跨导放大器有效
| 申请号： | 201821779743.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN208956003U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王建军;朱定飞;刘华 | 申请（专利权）人： | 上海海栎创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/56;H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区丹桂*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 漏极 一端连接 源极 本实用新型 跨导放大器 输出端 架构 电流镜像放大器 电源抑制性能 共源共栅级 电源噪声 负输入端 共源共栅 栅极控制 正输入端 电流源 共源级 输出级 噪声 | ||
1.一种跨导放大器，其特征在于，包括：
共源级的第一NMOS管、第二NMOS管，共源共栅级的第一PMOS管、第二PMOS管，所述第一NMOS管的栅极接正输入端，所述第二NMOS管的栅极接负输入端，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极接电流源，所述第一NMOS管的漏极接第一放大器的一端，所述第一放大器的另一端连接第二PMOS管的源极，所述第二NMOS管的漏极接第二放大器的一端，所述第二放大器的另一端连接第一PMOS管的源极，所述第一PMOS管的漏极连接第三放大器的一端，所述第三放大器的另一端连接输出端，所述第二PMOS管的漏极连接输出端。
2.如权利要求1所述的跨导放大器，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的衬底偏置采用滤波后的静态电压偏置。
3.如权利要求2所述的跨导放大器，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的衬底连接至一个低通滤波器。
4.如权利要求1所述的跨导放大器，其特征在于，所述输出端还设置有滤波电容。
5.如权利要求4所述的跨导放大器，其特征在于，所述电容的电容量大于等于1pF。
6.如权利要求3所述的跨导放大器，其特征在于，所述第一放大器包括第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，并连接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的源极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极接电源电压，所述第五PMOS管的漏极接第二PMOS管的源极。
7.如权利要求6所述的跨导放大器，其特征在于，所述第二放大器包括第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第六PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极，并连接所述第七PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极连接所述第七PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极接电源电压，所述第八PMOS管的漏极接第一PMOS管的源极。
8.如权利要求7所述的跨导放大器，其特征在于，所述第三PMOS管和所述第六PMOS管的衬底偏置采用滤波后的静态电压偏置。
9.如权利要求8所述的跨导放大器，其特征在于，所述第三PMOS管和所述第六PMOS管的衬底连接至所述低通滤波器。
10.如权利要求7所述的跨导放大器，其特征在于，所述第三放大器包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第三NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，并连接所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管的漏极连接第六NMOS管的源极，所述第六NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极接偏置电压，所述第六NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极。
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