[实用新型]跨导放大器

说明书

本实用新型揭示了一种跨导放大器，包括共源级的第一NMOS管、第二NMOS管，共源共栅级的第一PMOS管、第二PMOS管，第一NMOS管的栅极接正输入端，第二NMOS管的栅极接负输入端，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接电流源，第一NMOS管的漏极接第一放大器的一端，第一放大器的另一端连接第二PMOS管的源极，第二NMOS管的漏极接第二放大器的一端，第二放大器的另一端连接第一PMOS管的源极，第一PMOS管的漏极连接第三放大器的一端，第三放大器的另一端连接输出端，第二PMOS管的漏极连接输出端。本实用新型使用的放大器采用电流镜像放大器的架构，栅极控制端噪声与电源噪声的增益接近0dB，输出级采用共源共栅架构，实现了很好的电源抑制性能。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，特别是涉及一种跨导放大器。

背景技术

为了尽可能提高跨导放大器的信号动态范围，传统设计一方面开发出各种技术来提高信号输出范围，另一方面也开发出各种抑制供电噪声的技术，供电噪声在输出端的响应一般用电源抑制比指标来衡量，电源抑制比越高，信号的动态范围会越高。传统提高跨导放大器电源抑制的技术有如下几种：

(1)电源预调节技术；

即对供电电源采用线性调整技术，用调整过的电源给跨导放大器供电，例如LDO(Low drop out)或者子调整器(Sub-regulator)供电。这些电源的输出相对于原始电源一般PSRR(power supply rejection ratio)有20dB的提升。但该技术不适合低电压应用，而且辅助电路复杂。

(2)Cascode(共射共基或者共源共栅)技术；

利用该技术可提高输出端的等价阻抗，从而降低正负电源对输出端的噪声传递。但是该技术会降低输出信号范围，对低电压设计有影响。

(3)前馈噪声抵消技术；

采样电源噪声加载到控制器件栅极控制端，这样控制器件源端和栅端等价小信号相互抵消，控制器件导通特性不随电源噪声变化，从而输出端在很宽频率范围能够得到很高的PSRR。这种技术需要复杂的电路支持。

(4)输出滤波技术；

该技术需要大面积的电容，而且对输出信号建立时间影响较大。

因此，如何获得结构简单，效果优良的跨导放大器，一直是业界期待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种跨导放大器，优化器件结构，提高正电源抑制比性能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种跨导放大器，包括：

共源级的第一NMOS管、第二NMOS管，共源共栅级的第一PMOS管、第二PMOS管，所述第一NMOS管的栅极接正输入端，所述第二NMOS管的栅极接负输入端，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极接电流源，所述第一NMOS管的漏极接第一放大器的一端，所述第一放大器的另一端连接第二PMOS管的源极，所述第二NMOS管的漏极接第二放大器的一端，所述第二放大器的另一端连接第一PMOS管的源极，所述第一PMOS管的漏极连接第三放大器的一端，所述第三放大器的另一端连接输出端，所述第二PMOS管的漏极连接输出端。

可选的，对于所述的跨导放大器，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的衬底偏置采用滤波后的静态电压偏置。

可选的，对于所述的跨导放大器，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的衬底连接至一个低通滤波器。

可选的，对于所述的跨导放大器，所述输出端还设置有滤波电容。

可选的，对于所述的跨导放大器，所述电容的电容量大于等于1pF。