[实用新型]晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构有效

专利信息
申请号: 201821792445.8 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN208954984U 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 焊盘 布线 晶圆 晶圆堆叠 重布线层 电连接 引线垫 芯片堆叠结构 堆叠结构 硅通孔 上表面 良品率 底面 键合 种晶 芯片 制造
【权利要求书】:

1.一种晶圆堆叠结构,其特征在于,包括:

第一晶圆,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘;

第一重布线层,位于所述第一晶圆之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线,所述第一布线包括第一引线垫;

第二晶圆,底面键合于所述第一重布线层,上表面包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔;

第二重布线层,位于所述第二晶圆之上,包括电连接于所述第一硅通孔和所述第二焊盘的第二布线,所述第二布线包括第二引线垫。

2.如权利要求1所述的晶圆堆叠结构,其特征在于,所述第一硅通孔制作于所述第二晶圆和所述第一重布线层键合之后。

3.一种芯片堆叠结构,其特征在于,包括:

第一芯片,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘;

第一重布线层,位于所述第一芯片之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线,所述第一布线包括第一引线垫;

第二芯片,底面键合于所述第一重布线层,上表面包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔;

第二重布线层,位于所述第二芯片之上,包括电连接于所述第一硅通孔和所述第二焊盘的第二布线,所述第二布线包括第二引线垫。

4.如权利要求3所述的芯片堆叠结构,其特征在于,所述第一硅通孔制作于所述第二芯片和所述第一重布线层键合之后。

5.一种晶圆堆叠结构,其特征在于,包括:

第一晶圆,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘;

第一下重布线层,位于所述第一晶圆之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线;

第一上重布线层,位于所述第一下重布线层之上,包括电连接所述第一布线的第二布线,所述第二布线包括第一引线垫;

第二晶圆,底面键合于所述第一上重布线层,上表面设置有连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔;

第二下重布线层,位于所述第二晶圆之上,包括电连接于所述第二焊盘和所述第一硅通孔的第三布线;

第二上重布线层,位于所述第二下重布线层之上,包括电连接所述第三布线的第四布线,所述第四布线包括第二引线垫。

6.如权利要求5所述的晶圆堆叠结构,其特征在于,所述第一硅通孔制作于所述第二晶圆和所述第一上重布线层键合之后。

7.一种芯片堆叠结构,其特征在于,包括:

第一芯片,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘;

第一下重布线层,位于所述第一芯片之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线;

第一上重布线层,位于所述第一下重布线层之上,包括电连接所述第一布线的第二布线,所述第二布线包括第一引线垫;

第二芯片,底面键合于所述第一上重布线层,上表面设置有连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔;

第二下重布线层,位于所述第二芯片之上,包括电连接于所述第二焊盘和所述第一硅通孔的第三布线;

第二上重布线层,位于所述第二下重布线层之上,包括电连接所述第三布线的第四布线,所述第四布线包括第二引线垫。

8.如权利要求7所述的芯片堆叠结构,其特征在于,所述第一硅通孔制作于所述第二芯片和所述第一上重布线层键合之后。

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