[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备

权利要求书

1.一种镀膜设备沉积腔室，所述沉积腔室包括底板和设置在所述底板上的金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，沿所述底板的第一预设方向设置的每排所述非金属蒸发源的个数为M个；并且，位于同一排的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值；M为大于等于8小于等于15的整数；

其中，在沿所述底板的第一预设方向设置的非金属蒸发源的两侧、沿第二预设方向设置有一排金属蒸发源，位于非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与位于非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。

2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，沿所述底板的长度方向，在所述底板上设置有多排所述非金属蒸发源，沿所述底板的宽度方向，所述多排非金属蒸发源一一对齐设置。

3.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，在沉积腔室的底板上设置有多排所述非金属蒸发源，

相邻两排所述非金属蒸发源中：在第一预设方向上，位于一排的首端、末端的所述非金属蒸发源较另一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离。

4.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，在所述底板上设置一排非金属蒸发源，所述一排非金属蒸发源的中心的连接线与参考线成35-90度的夹角设置；其中，所述参考线为所述底板中心线。

5.根据权利要求4所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述一排非金属蒸发源沿所述底板的一个对角线设置。

6.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，在所述沉积腔室的底板上设置有一排非金属蒸发源，所述一排非金属蒸发源沿所述底板的长度方向设置。

7.根据权利要求6所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述一排非金属蒸发源设置在所述底板的宽度方向的中间位置。

8.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为20-45度，

和/或

所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为0-60度。

9.根据权利要求1-8任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源；或/和

所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的镀膜设备沉积腔室。