[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备

说明书

本实用新型公开了一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其中，沿所述衬底的第一预设方向设置的每排所述非金属蒸发源的个数为M个；并且，位于同一排的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值；M为大于等于8小于等于15的整数；其中，在沿所述衬底的第一预设方向设置的非金属蒸发源的两侧沿第二预设方向各设置有一排金属蒸发源，位于非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与位于非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。本方案，使得通过镀膜设备沉积腔室在底板表面形成的CIGS膜厚度均匀，性能良好，从而使得形成的包括CIGS膜的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池衬底镀膜设备领域，尤其涉及一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备。

背景技术

在基板上附着CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒))膜，以形成太阳能电池，方可使太阳能电池具有将太阳能转化为电能的功能。

现有技术方案中主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太阳能电池，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子从原有物质中逃逸出来进而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。

然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备，以解决现有技术中缺少一种形成的CIGS膜厚度均匀、具有高发电效率的镀膜设备沉积腔室的技术问题。

根据本实用新型提供的一种镀膜设备沉积腔室，所述沉积腔室包括底板和设置在所述底板上的金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，沿所述底板的第一预设方向设置的每排所述非金属蒸发源的个数为M个；并且，位于同一排的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值；M为大于等于8小于等于15的整数；其中，在沿所述底板的第一预设方向设置的非金属蒸发源的两侧、沿第二预设方向设置有一排金属蒸发源，位于非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与位于非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。本实用新型，在底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的数量为大于等于8小于等于15的整数，可有效满足为不同面积的底板进行沉积以形成CIGS膜的需求，同时，每排非金属蒸发源中相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值，可有效满足生产出的CIGS膜的厚度均匀的要求。

在一个实施例中，沿所述底板的长度方向，在所述底板上设置有多排所述非金属蒸发源，沿所述底板的宽度方向，所述多排非金属蒸发源一一对齐设置。本实用新型，在底板上设置的多排非金属蒸发源一一对齐设置，可使得非金属蒸发源在底板上的排布较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。

在一个实施例中，在沉积腔室的底板上设置有多排所述非金属蒸发源，相邻两排所述非金属蒸发源中：在第一预设方向上，位于一排的首端、末端的所述非金属蒸发源较另一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离，如此，可使得非金属蒸发源在底板上占据更大的面积，从而可在底板上形成的CIGS膜的面积可以得到有效的保证，从而有效保证了CIGS膜的性能及发电效率。

在一个实施例中，在所述底板上设置一排非金属蒸发源，所述一排非金属蒸发源的中心的连接线与所述底板中心线成35-90度的角度设置。通过在底板上设置的非金属蒸发源的中心的连线与所述底板中心线成一定的角倾斜度，从而使得非金属蒸发源中的非金属物质可以被沉积至底板的预设区域。