[实用新型]一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管有效
| 申请号： | 201821819150.5 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN209447792U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 董珂 | 申请（专利权）人： | 济南固锝电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/48 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 罗文曌 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳压芯片 稳压二极管 低温漂 焊片 本实用新型 封装层 铝膜 半导体功率器件 电子技术领域 高温焊接 封装 | ||
1.一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区通过所述铝膜高温焊接成一体，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。
2.根据权利要求1所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述封装层由玻封层和塑封层构成，玻封层用于封装稳压芯片一和稳压芯片二，塑封层设于玻封层外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。
3.根据权利要求2所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述玻封层的厚度为0.5mm-0.6mm。
4.根据权利要求3所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述塑封层为圆柱体，塑封层的直径为2.60mm-5.15mm，厚度为4.9mm-9.1mm。
5.根据权利要求4所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述铝膜的厚度为2.5um-2.7um。
6.根据权利要求5所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述钼粒层为圆柱体，钼粒层的直径为1.15mm-2.42mm，厚度为0.83mm-1.51mm。
7.根据权利要求6所述的采用GP工艺的低温漂稳压二极管，其特征在于：所述焊片为圆柱体，焊片的直径为1.08mm-2.24mm，厚度0.06±0.01mm。
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