[实用新型]一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管

说明书

本实用新型属于半导体功率器件电子技术领域，具体地说是一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管。该实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区通过所述铝膜高温焊接成一体，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。本实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管结构设计合理，提高可靠性，具有良好的推广应用价值。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件电子技术领域，具体提供一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管。

背景技术

半导体分立器件发展至今，人们对半导体分立器件的要求越来越高，生产一切产品的最终目的即产品的最高价值，在于它的实用性，电子元器件的生产是为电子整机服务的，电子整机对元器件的要求除了电学参数外，重点在于元器件的可靠性，特别是在经受苛刻的外界环境所表现的特性至关重要，其是否能抵制外界不良的影响（如骤冷骤热或高温高湿）已成为评判器件好坏重要的指标。稳压二极管在元器件中占有非常重要的地位，稳压管应用广泛，可适用于浪涌保护电路、过压保护电路、电弧抑制电路、稳压电路等，有些精密电路要求等级较高，对其稳压特性提出更高的要求，然而稳压管的稳压特性易受环境温度的影响，其稳压性能随温度产生漂移，直接影响其稳压功能，不仅如此，其钝化封装形式受到人们的关注，半导体分立器件各组分是否具有良好的匹配性、稳定性、致密性等亦对器件的可靠性提出很大的挑战。因此，提高稳压二极管的稳压特性及可靠性显得尤为重要。

发明内容

为了解决以上存在的问题，本实用新型提供一种结构设计合理，提高可靠性的采用GP工艺的低温漂稳压二极管。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管，包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区相焊接，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两侧的钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，将稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片相封装。

GP工艺：半导体二极管芯片工艺制程中，PN结是形成二极管特性的关键要素，采用高温玻璃钝化（GP）工艺，保护芯片，使芯片具有良好的二极管特性、可封装特性以及使用可靠性。

所述引线为铜引线。

稳压二极管在6.3V是温度系数的分水岭，高于6.3V时为正温度系数，而低于6.3V时为负温度系数，本实用新型中采用稳压芯片一和稳压芯片二双芯片反向相接后高温烧结于一体，利用PN结在不同温度条件下表现出的正负温度系数来实现电压补偿，实现低温度漂移，将温度的影响减到最低，达到理想的稳压效果，并且具有防反接作用。

稳压芯片一与稳压芯片二之间通过铝膜在高温真空下相焊接，焊片与钼粒层和引线之间也是通过高温焊接，有助于提高材料耐焊接能力，高温操作能力，提高二极管的可靠性（可实现在-65℃-175℃范围内储存或工作）。

采用钼粒层在引线与芯片之间相连接，钼粒与芯片的膨胀系数相近，可减少内应力给稳压芯片带来的损伤，在二极管遇到骤冷或骤热的环境变化时不至于因内应力直接损伤稳压芯片而使产品失效，降低苛刻环境下给二极管带来的不利影响，大大提升稳压二极管的可靠性。并且稳压芯片与钼粒层之间无需加铝片或焊片，利用稳压芯片表面的铝膜高温焊接在一起。

作为优选，所述封装层由玻封层和塑封层构成，玻封层将稳压芯片一和稳压芯片二相封装，塑封层设于玻封层外，将稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片相封装。