[实用新型]加热器及热处理系统有效
申请号: | 201821819310.6 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN209766367U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 崔宇镕;朴暻完 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国京畿道平*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 本实用新型 热处理系统 热处理装置 对基板 热处理空间 热处理 滑动 插入口 腔室 | ||
本实用新型公开一种加热器及热处理系统。本实用新型涉及的热处理系统用于对基板(5)进行热处理,包括:热处理装置(110),包括对基板(5)提供热处理空间的腔室(105);以及加热器(200),通过形成于热处理装置(110)一侧表面的插入口(121)进行滑动插入。
技术领域
本实用新型涉及一种加热器及热处理系统。更加详细而言,涉及一种由于可以从腔室的一侧插入加热器并且在腔室的一表面进行维护,从而提高空间利用率及生产率的加热器及热处理系统。
背景技术
退火(annealing)装置是为了对沉积于诸如硅片或玻璃的基板上的规定薄膜进行结晶化、相变等工艺而负责必要的热处理步骤的装置。
图1是示出现有的间歇式热处理装置1的立体图,图2a、2b为沿图1中A-A'线的放大侧视剖视图,图2a为热处理装置1中设置有加热器20的形状。图2b示出杆状加热器20。图3a、3b为现有的热处理系统,图3a示出热处理装置1内加热器20、30的配置形状,图3b示出用于热处理系统的制造、维护、维修的必要空间。
参照图1,现有的间歇式热处理装置1包括:本体10,包括腔室15空间;门11,用于开闭本体10的出入口;主加热器20;以及侧加热器30。腔室15 内部可配置多个基板。多个基板分别以规定间距配置,被基板支架(未图示) 支撑或安装在晶舟(未图示)上并配置在腔室15内部。
主加热器20一般为杆状的加热器,发热体22插入在石英管21内部,非发热体25通过设置在两端的端子,接收外部电源并传达至发热体22而产生热。主加热器20的两端可以结合于连接器26,在断电的同时,将加热器20 设置固定在本体10的壁面。
辅助加热器30的构成与主加热器20相同。但是,考虑到从热处理装置1 向外部放出热量,进一步配置辅助加热器30,以使腔室15内所有区域均匀地受热,还配置有辅助加热器30。辅助加热器30沿着垂直于主加热器20形成方向的方向,与本体10的两侧表面平行配置。
参照图3a,主加热器20主要对被基板5占有的加热区域Z2进行加热,辅助加热器30对基板5的外侧,即,作为没有被基板5占有的加热区域Z1、 Z3的腔室15的周围部分进行加热。为了防止向外部损失热量,进一步将辅助加热器30和主加热器20垂直配置,使得加热区域Z1、Z3的加热温度高于加热区域Z2。
但是,现有的间歇式热处理装置1因此不必要的体积增大。参照图3b,至少需要本体10的左右侧维护空间M1'、M2',以确保将主加热器20设置于本体10并且用于维护/管理的维护路径P1'、P2'。并且,至少需要本体10的前后侧空间M3'、M4',以确保将辅助加热器30设置于本体10并且用于维护/ 管理的维护路径P3'、P4'。像这样,必须确保围绕本体10的所有表面外侧维护空间M1'、M2'、M3'、M4',因此,用于维护/管理的整体设备的尺寸将不必要的增加,并且单位面积的生产率降低。
另一方面,现有的间歇式热处理装置1根据基板的数量而设置大量加热器20、30,在每个加热器20、30的两端分别结合连接器26的过程中,装置的制造时间增加。并且,在对加热器20、30进行修理、更换等时,在拆卸连接器26的过程中,维护/管理时间增加。在热处理工艺途中,当部分加热器 20、30发生故障时,这种修理、更换时间的延迟有可能导致大量工艺的失败。
实用新型内容
技术问题
本实用新型为了解决上述现有技术的各种问题点而提出。起目的在于提供一种加热器及热处理系统,将加热器设置在本体并且大幅缩小用于维护/管理的空间,以增加空间利用率。
另外,本实用新型的目的在于,提供一种加热器及热处理系统,通过增加空间利用率来提高单位面积生产率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆益IPS股份有限公司,未经圆益IPS股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821819310.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造